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IRFR3911TRPBF 发布时间 时间:2025/6/28 20:05:24 查看 阅读:4

IRFR3911TRPBF 是一款由 Vishay International Rectifier 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用逻辑电平驱动设计,具有低导通电阻和高开关速度,非常适合于要求高效能和快速动态响应的应用场景。
  其封装形式为 TO-252 (DPAK),具备出色的散热性能和坚固耐用的结构。由于其优异的电气特性和可靠性,IRFR3911TRPBF 被广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器以及各种开关电路中。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻(典型值):8.5mΩ
  总功耗:47W
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-252 (DPAK)
  栅极电荷(典型值):26nC
  反向恢复时间:16ns

特性

IRFR3911TRPBF 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),使其在导通状态下的功率损耗非常小,提高了整体效率。
  2. 高速开关能力,得益于其较小的栅极电荷 (Qg) 和快速的反向恢复时间 (trr),适用于高频开关应用。
  3. 逻辑电平驱动兼容性,允许直接与常见的逻辑信号接口,无需额外的驱动电路。
  4. 宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C),适合多种环境条件下的使用。
  5. 符合 RoHS 标准,满足环保要求。
  6. 具备良好的热稳定性和可靠性,适用于严苛的工业环境。

应用

IRFR3911TRPBF 广泛应用于多个领域,主要包括:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器。
  2. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
  3. 各类电机驱动和控制电路。
  4. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
  5. 汽车电子系统中的电池管理及电源分配。
  6. 通信设备中的高效功率转换模块。

替代型号

IRLR3911TRPBF, SI4479DP, FDS8947

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IRFR3911TRPBF参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C115 毫欧 @ 8.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs32nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds740pF @ 25V
  • 功率 - 最大56W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)