IRFR3911TRPBF 是一款由 Vishay International Rectifier 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用逻辑电平驱动设计,具有低导通电阻和高开关速度,非常适合于要求高效能和快速动态响应的应用场景。
其封装形式为 TO-252 (DPAK),具备出色的散热性能和坚固耐用的结构。由于其优异的电气特性和可靠性,IRFR3911TRPBF 被广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器以及各种开关电路中。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:16A
导通电阻(典型值):8.5mΩ
总功耗:47W
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-252 (DPAK)
栅极电荷(典型值):26nC
反向恢复时间:16ns
IRFR3911TRPBF 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),使其在导通状态下的功率损耗非常小,提高了整体效率。
2. 高速开关能力,得益于其较小的栅极电荷 (Qg) 和快速的反向恢复时间 (trr),适用于高频开关应用。
3. 逻辑电平驱动兼容性,允许直接与常见的逻辑信号接口,无需额外的驱动电路。
4. 宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C),适合多种环境条件下的使用。
5. 符合 RoHS 标准,满足环保要求。
6. 具备良好的热稳定性和可靠性,适用于严苛的工业环境。
IRFR3911TRPBF 广泛应用于多个领域,主要包括:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
3. 各类电机驱动和控制电路。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
5. 汽车电子系统中的电池管理及电源分配。
6. 通信设备中的高效功率转换模块。
IRLR3911TRPBF, SI4479DP, FDS8947