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IRFR3910TRPBF 发布时间 时间:2025/7/12 1:15:39 查看 阅读:10

IRFR3910TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沯道功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用 TO-263 封装形式,适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及逆变器等应用中。由于其低导通电阻和高电流处理能力,IRFR3910TRPBF 在高效能功率转换应用中表现出色。
  这款 MOSFET 的最大特点是其优化的 RDS(on) 参数,从而减少传导损耗并提升系统效率。此外,它还具有较高的雪崩能量能力和热稳定性,适用于要求严苛的工业及汽车环境。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:18A
  栅源电压(最大):±20V
  导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ(典型值,在 VGS=10V 时)
  功耗:10W
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-263

特性

IRFR3910TRPBF 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(RDS(on)),可有效降低功率损耗,提高整体效率。
  2. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐受性。
  3. 采用 TO-263 封装,具备良好的散热性能。
  4. 支持宽广的工作温度范围,适应极端环境下的使用需求。
  5. 快速开关特性,使其非常适合高频开关应用。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且无铅设计。

应用

IRFR3910TRPBF 广泛应用于各种功率电子领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)设计中的功率开关。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流或主开关元件。
  3. 电动机驱动电路中的功率控制组件。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 逆变器系统中的关键功率级元件。
  6. 电池管理系统(BMS)中的保护和充放电控制。
  7. 各种需要高效率功率转换的场合。

替代型号

IRLR3910, FDP3910N, STP18NF55

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IRFR3910TRPBF参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C16A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C115 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs44nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds640pF @ 25V
  • 功率 - 最大79W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFR3910PBFTR