IRFR3910是一种N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由国际整流器公司(International Rectifier,现为Infineon Technologies的一部分)生产。该器件专为高效率、高频开关应用而设计,适用于多种工业和消费类电子产品领域。它具有低导通电阻和高击穿电压的特点,使其在电源管理、电机驱动以及DC-DC转换器等场景中表现出色。
最大漏源电压Vds:60V
最大栅源电压Vgs:±20V
连续漏极电流Id:15A
导通电阻Rds(on):2.7mΩ(典型值,Vgs=10V时)
总功耗Ptot:140W
结温范围Tj:-55℃至+175℃
封装形式:TO-220, TO-247
IRFR3910具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通损耗并提高整体效率。
2. 高速开关性能,适合高频应用场合。
3. 低栅极电荷Qg,可以降低驱动损耗。
4. 热稳定性良好,能够在较宽的温度范围内可靠运行。
5. 具有良好的雪崩能力和鲁棒性,能够承受瞬态电压冲击。
6. 封装形式多样,便于安装和散热设计。
这些特性使得IRFR3910非常适合用于高效能功率转换和负载切换的应用场景。
IRFR3910广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流和主开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统中的电池保护和配电。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率调节模块。
由于其出色的性能和可靠性,IRFR3910成为许多功率电子设计的理想选择。
IRF3910, STP15NF06L, FDP17N6S