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IRFR3806TRPBF 发布时间 时间:2025/6/24 8:28:49 查看 阅读:22

IRFR3806TRPBF 是一款来自 Vishay 的 N 沒尔 场效应晶体管(MOSFET),采用 TO-252 (DPAK) 封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于功率转换、负载开关、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率管理的场景。
  该 MOSFET 为增强型器件,意味着其仅在正向栅极驱动电压下开启,且具备出色的热性能与电气特性。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:7.1A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:19nC
  输入电容:1220pF
  总功耗:2.2W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

IRFR3806TRPBF 提供了非常低的导通电阻,能够减少功率损耗并提升效率。此外,其紧凑的 TO-252 封装适合空间受限的应用环境。该器件还具有较高的雪崩击穿能量能力,增强了系统在异常条件下的可靠性。
  该 MOSFET 支持高频操作,由于其较低的栅极电荷和快速的开关时间,可有效降低开关损耗。同时,其良好的热稳定性允许其在较高温度下保持稳定的性能表现。
  另外,IRFR3806TRPBF 的封装形式带有外露金属垫片以改善散热性能,并支持表面贴装技术(SMD),简化了生产流程和装配工艺。

应用

IRFR3806TRPBF 广泛应用于各种功率管理场合,包括但不限于:
  - 开关电源(SMPS)
  - DC-DC 转换器
  - 同步整流电路
  - 电机控制及驱动
  - 消费类电子产品中的负载切换
  - 工业设备中的功率调节
  其优异的电气性能使其成为许多高性能应用的理想选择。

替代型号

IRLZ44N, AO3400A, FDMT8602

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IRFR3806TRPBF参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C43A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C15.8 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1150pF @ 50V
  • 功率 - 最大71W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFR3806TRPBFTR