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IRFR3806PBF 发布时间 时间:2025/6/28 20:04:36 查看 阅读:8

IRFR3806PBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沣道场效应晶体管(N-Channel MOSFET)。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点。它广泛应用于电源管理、电机驱动、负载切换以及各种工业和消费类电子设备中。
  IRFR3806PBF 的封装形式为 SO-8(PowerPAK SO-8),这种封装提供了良好的散热性能和紧凑的设计,适合于高密度电路板布局。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:12.9A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:28nC(典型值)
  输入电容:1740pF(典型值)
  总功耗:33W
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

IRFR3806PBF 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 高电流处理能力,适用于大功率应用。
  3. 快速开关性能,支持高频操作。
  4. 强大的热稳定性,能够在极端温度条件下可靠运行。
  5. 小巧的 PowerPAK SO-8 封装,有助于节省 PCB 空间。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代设计要求。

应用

该器件主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC 转换器的高端和低端开关。
  3. 电机驱动电路中的功率级元件。
  4. 各种负载切换和保护电路。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 消费类电子产品中的高效能电源解决方案。

替代型号

IRF3806PBF, FDP057AN, AO3400A

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IRFR3806PBF参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C43A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C15.8 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1150pF @ 50V
  • 功率 - 最大71W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装管件