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IRFR3708TR 发布时间 时间:2025/7/10 12:17:21 查看 阅读:14

IRFR3708TR 是一款高性能的 N 沗道功率场效应晶体管(MOSFET),由英飞凌(Infineon)生产。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装形式,广泛应用于开关电源、电机控制、DC-DC 转换器等需要高效率和低功耗的应用场景。其主要特点包括极低的导通电阻和快速的开关特性,能够有效降低系统功耗并提高整体效率。
  该 MOSFET 适用于要求高效能和高温性能稳定的电路设计,同时由于其封装紧凑,非常适合空间受限的设计。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏电流:43A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
  栅极电荷:19nC
  总电容(Ciss):2140pF
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

IRFR3708TR 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在大电流应用中减少导通损耗,从而提升效率。
  2. 快速开关能力,使得它在高频开关应用中表现出色。
  3. 高耐热性,支持高达 175°C 的结温,确保在恶劣环境下的可靠性。
  4. 小型 DPAK 封装,适合于空间有限的设计,同时提供出色的散热性能。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子设备中。

应用

IRFR3708TR 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器,用于笔记本电脑、服务器和其他电子设备的电源管理。
  3. 电机驱动和控制,特别是无刷直流电机(BLDC)的应用。
  4. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
  5. 电信设备和消费类电子产品中的高效功率转换解决方案。

替代型号

IRFR3710, IRF3708PBF

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IRFR3708TR参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C61A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12.5 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs24nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2417pF @ 15V
  • 功率 - 最大87W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)