IRFR3704ZTR 时间：2025/12/26 20:12:00 阅读：11

IRFR3704ZTR是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，专为高效率和高性能的电源管理应用而设计。该器件封装在小型的D2PAK或TO-252封装中，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于多种DC-DC转换、负载开关、电机驱动以及电源管理系统。由于其优化的栅极设计，IRFR3704ZTR具备出色的抗噪能力和稳定性，能够在宽温度范围内可靠运行。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，适合用于消费电子、工业控制和便携式设备等对空间和能效要求较高的应用场景。作为一款增强型场效应晶体管，它在栅极施加正电压时导通，常用于低边开关配置。其雪崩能量能力经过严格测试，提高了系统在瞬态过压情况下的鲁棒性。得益于英飞凌在功率半导体领域的深厚积累，IRFR3704ZTR在可靠性、一致性和长期供货能力方面表现出色，是许多中等功率开关应用中的理想选择。

参数

型号：IRFR3704ZTR
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：46A
　　脉冲漏极电流IDM：180A
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=10V）：9.5mΩ
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=4.5V）：13mΩ
　　阈值电压VGS(th)：1.0V ~ 2.3V
　　输入电容Ciss：1400pF（@VDS=15V）
　　输出电容Coss：490pF（@VDS=15V）
　　反向恢复时间trr：28ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-252 (D2PAK)

特性

IRFR3704ZTR采用英飞凌先进的沟槽式场效应晶体管技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其最大RDS(on)在VGS=10V时仅为9.5mΩ，在VGS=4.5V时为13mΩ，这使得器件在低电压、大电流的应用中能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。这种低RDS(on)特性特别适用于电池供电设备和同步整流电路，有助于延长续航时间和减少散热需求。该器件支持高达46A的连续漏极电流（在25°C下），并能承受180A的脉冲电流，展现出强大的电流处理能力。
　　另一个关键特性是其良好的热性能和机械稳定性。TO-252（D2PAK）封装不仅提供了优良的散热路径，还便于自动化贴装，适用于大规模生产环境。该封装形式广泛应用于各类电源模块和PCB布局紧凑的设计中。此外，IRFR3704ZTR具备较高的雪崩耐量，能够在突发的电压尖峰或感性负载关断过程中安全释放能量，从而保护器件本身及整个系统不受损坏。
　　该MOSFET的栅极结构经过优化，具有较低的输入电容（Ciss=1400pF）和输出电容（Coss=490pF），有助于减少驱动功耗并加快开关速度，适用于高频开关电源设计。同时，其阈值电压范围为1.0V至2.3V，确保了在逻辑电平信号驱动下的可靠开启，兼容多种控制器输出。器件的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，可在极端环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用。此外，IRFR3704ZTR通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏置（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环等，保证了长期使用的稳定性和耐用性。

应用

IRFR3704ZTR广泛应用于需要高效能、小体积和高可靠性的电源管理场合。常见应用包括同步降压变换器中的低边开关，尤其在多相VRM（电压调节模块）中用于CPU或GPU供电系统。其低导通电阻和高电流能力使其成为DC-DC转换器的理想选择，可用于服务器、笔记本电脑和通信设备中的点负载（POL）电源设计。
　　此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）、电动工具、LED驱动电源和电机控制电路。在这些应用中，IRFR3704ZTR可以作为主开关或辅助开关元件，实现快速响应和低功耗操作。其高脉冲电流能力使其适合驱动容性或感性负载，如继电器、电磁阀或直流电机的H桥驱动电路。
　　在消费类电子产品中，如平板电脑、智能家居设备和移动电源中，IRFR3704ZTR常被用作负载开关或热插拔控制器件，提供过流保护和软启动功能。其小型化封装有利于节省PCB空间，提升产品集成度。同时，由于其具备良好的EMI性能和抗干扰能力，也可用于噪声敏感环境中。
　　工业控制系统中，该MOSFET可用于PLC模块、传感器电源管理和隔离式电源接口。其宽工作温度范围和高可靠性满足工业现场严苛的运行条件。总体而言，IRFR3704ZTR凭借其卓越的电气性能和稳定的制造工艺，已成为众多中等功率开关应用中的主流选择。