时间：2025/6/29 12:42:20
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IRFR3704ZPBF 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用TO-252 (DPAK) 封装，适用于高效率开关应用。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合于DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关以及电池保护等应用。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：8.1A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极电荷：9nC（典型值）
输入电容：1050pF
总功耗：2.4W
工作温度范围：-55°C to +175°C
IRFR3704ZPBF具有非常低的导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
其优化的栅极电荷使得开关损耗较低，从而支持高频开关操作。
该器件具备较高的雪崩能力和坚固的短路耐受能力，确保在严苛条件下可靠运行。
TO-252封装提供良好的热性能和电气连接，便于表面贴装工艺。
由于其出色的电气特性和可靠性，该MOSFET被广泛应用于功率转换和电机控制领域。
该芯片适用于各种功率电子应用，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器
2. DC-DC转换器的核心开关元件
3. 电机驱动电路中的功率级
4. 负载切换和电池保护电路
5. LED驱动器及音频放大器中的功率管理
6. 汽车电子中的负载切换与控制
其高性能和耐用性使它成为许多工业和消费类应用的理想选择。
IRF3704, IRFR3704TRPBF, FDP5800
