IRFR3411TR 时间：2025/6/19 1:40:37 阅读：3

IRFR3411TR 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET）。它采用 Trench 工艺制造，具有低导通电阻和高效率的特点。该器件适用于多种开关应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等电路中。
　　这款 MOSFET 的封装形式为 TO-252 (DPAK)，能够承受较高的漏源电压，并且支持大电流操作，非常适合用于功率转换和电源管理领域。

参数

最大漏源电压：55V
　　最大连续漏极电流：8.6A
　　最大脉冲漏极电流：30A
　　导通电阻（典型值）：15mΩ
　　栅极电荷（典型值）：7nC
　　输入电容（典型值）：580pF
　　总功耗：25W
　　工作结温范围：-55℃ 至 +175℃

特性

IRFR3411TR 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高整体效率。
　　2. 快速开关速度，得益于较低的栅极电荷和输入电容。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
　　4. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
　　5. 适合表面贴装工艺，便于自动化生产和组装。
　　此外，该器件还具有出色的热稳定性和电气性能，在高温环境下仍能保持稳定的运行状态。

应用

IRFR3411TR 广泛应用于以下场景：
　　1. 开关模式电源（SMPS）设计中的功率级开关。
　　2. 各种类型的 DC-DC 转换器，包括降压和升压拓扑。
　　3. 电机控制与驱动电路，例如无刷直流电机（BLDC）控制器。
　　4. 电池管理系统（BMS），用于过流保护和负载切换。
　　5. 工业自动化设备中的功率开关元件。
　　6. LED 照明系统的驱动电路。
　　其高效率和可靠性使得 IRFR3411TR 成为许多高性能功率转换应用的理想选择。