IRFR3410TRPBF 是一款N沟道增强型MOSFET,采用TO-263封装形式。该器件由英飞凌(Infineon)制造,主要应用于电源管理、电机控制、逆变器等需要高效功率转换的场景。其设计旨在实现低导通电阻和高开关速度,从而提高效率并减少功耗。
这种MOSFET具有较低的漏源导通电阻Rds(on),能够在高频工作条件下提供出色的性能表现。此外,它还具备较高的雪崩击穿能力,能够承受一定的过载情况。
最大漏源电压(VDS):60V
最大栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):49A
脉冲漏极电流(IDM):150A
漏源导通电阻(Rds(on)):3.8mΩ
总栅极电荷(Qg):45nC
输入电容(Ciss):3380pF
输出电容(Coss):137pF
反向传输电容(Crss):107pF
结温范围(TJ):-55℃ to +175℃
IRFR3410TRPBF是一款高性能的功率MOSFET,具备以下特点:
1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于降低传导损耗,并提升整体效率。
2. 优化的开关性能,适用于高频应用场合。
3. 高雪崩能量能力,提高了器件在异常工作条件下的可靠性。
4. TO-263封装形式,易于安装且散热性能良好。
5. 广泛的工作温度范围,确保在各种环境下都能稳定运行。
6. 良好的热稳定性,能够承受较高的结温。
IRFR3410TRPBF广泛应用于多个领域,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的逆变器与变频器。
4. 不间断电源(UPS)系统中的功率调节。
5. 各类DC/DC转换器中的高效开关元件。
6. 电池管理系统(BMS)中的负载切换与保护功能。
IRFZ44N, FDP5800, AON6214