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IRFR3410TRPBF 发布时间 时间:2025/5/24 9:50:11 查看 阅读:14

IRFR3410TRPBF 是一款N沟道增强型MOSFET,采用TO-263封装形式。该器件由英飞凌(Infineon)制造,主要应用于电源管理、电机控制、逆变器等需要高效功率转换的场景。其设计旨在实现低导通电阻和高开关速度,从而提高效率并减少功耗。
  这种MOSFET具有较低的漏源导通电阻Rds(on),能够在高频工作条件下提供出色的性能表现。此外,它还具备较高的雪崩击穿能力,能够承受一定的过载情况。

参数

最大漏源电压(VDS):60V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):49A
  脉冲漏极电流(IDM):150A
  漏源导通电阻(Rds(on)):3.8mΩ
  总栅极电荷(Qg):45nC
  输入电容(Ciss):3380pF
  输出电容(Coss):137pF
  反向传输电容(Crss):107pF
  结温范围(TJ):-55℃ to +175℃

特性

IRFR3410TRPBF是一款高性能的功率MOSFET,具备以下特点:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于降低传导损耗,并提升整体效率。
  2. 优化的开关性能,适用于高频应用场合。
  3. 高雪崩能量能力,提高了器件在异常工作条件下的可靠性。
  4. TO-263封装形式,易于安装且散热性能良好。
  5. 广泛的工作温度范围,确保在各种环境下都能稳定运行。
  6. 良好的热稳定性,能够承受较高的结温。

应用

IRFR3410TRPBF广泛应用于多个领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换。
  2. 电动工具及家用电器中的电机驱动。
  3. 工业自动化设备中的逆变器与变频器。
  4. 不间断电源(UPS)系统中的功率调节。
  5. 各类DC/DC转换器中的高效开关元件。
  6. 电池管理系统(BMS)中的负载切换与保护功能。

替代型号

IRFZ44N, FDP5800, AON6214

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IRFR3410TRPBF参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C31A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C39 毫欧 @ 18A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs56nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1690pF @ 25V
  • 功率 - 最大3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)