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IRFR3303TRPBF 发布时间 时间:2025/5/23 9:46:03 查看 阅读:13

IRFR3303TRPBF是一款由英飞凌(Infineon)生产的MOSFET功率晶体管,采用TO-252 (DPAK)封装形式。该器件适用于高频开关应用,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,广泛用于DC-DC转换器、开关电源、电机驱动以及负载切换等场景。

参数

型号:IRFR3303TRPBF
  类型:N沟道增强型MOSFET
  VDS(漏源极电压):30V
  RDS(on)(导通电阻):8.5mΩ(典型值,@ VGS=10V)
  ID(连续漏极电流):62A(脉冲)
  栅极电荷:14nC(典型值)
  总功耗:19W
  封装:TO-252 (DPAK)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

IRFR3303TRPBF具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(RDS(on)),在高电流应用中能够有效减少传导损耗。
  2. 高电流承载能力,支持高达62A的脉冲电流,适用于大功率应用。
  3. 较高的开关速度,由于其低栅极电荷设计,适合高频操作环境。
  4. 优化的热性能,通过TO-252封装提供良好的散热表现。
  5. 工作温度范围宽广,能够在极端环境下稳定运行,最高结温可达+175°C。
  6. 符合RoHS标准,环保且可靠。

应用

IRFR3303TRPBF广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
  3. 电机驱动电路中的功率级元件。
  4. 负载开关和保护电路中的控制元件。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 汽车电子系统中的大电流开关组件。

替代型号

IRLR3303TRPBF, IXTY33N3L2

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IRFR3303TRPBF参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C33A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C31 毫欧 @ 18A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs29nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds750pF @ 25V
  • 功率 - 最大57W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFR3303PBFTR