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IRFR320TRPBF 发布时间 时间:2025/6/17 8:32:31 查看 阅读:3

IRFR320TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沣道通场效应晶体管(N-Channel MOSFET),属于逻辑电平驱动型功率 MOSFET。它采用了 TO-263 (D2PAK) 封装形式,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等功率电子电路中。
  该器件具有低导通电阻和高开关速度的特性,适用于需要高效能和小体积设计的应用场景。

参数

最大漏源电压:55V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:11A
  导通电阻(典型值,Vgs=10V):8.5mΩ
  栅极电荷:14nC
  反向恢复时间:38ns
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

IRFR320TRPBF 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,确保了在大电流应用中的低功耗。
  2. 逻辑电平驱动兼容性,能够直接与常见的微控制器或逻辑芯片接口,无需额外的驱动电路。
  3. 快速开关能力,适合高频开关应用。
  4. 高可靠性设计,能够在恶劣环境下长期稳定运行。
  5. D2PAK 封装提供了良好的散热性能,适合功率密集型应用。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

IRFR320TRPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. 直流/直流转换器中的主开关或续流二极管替代方案。
  3. 电机驱动电路中的功率开关元件。
  4. 负载开关和保护电路中的功率管理组件。
  5. 电池管理系统中的充放电控制开关。
  6. 各种工业控制设备中的功率切换装置。

替代型号

IRLR320, STP11NK06Z, FDP5500

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IRFR320TRPBF参数

  • 数据列表IRFR320, IRFU320
  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)400V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.8 欧姆 @ 1.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds350pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFR320PBFTR