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IRFR320 发布时间 时间:2025/6/4 9:34:35 查看 阅读:7

IRFR320是一种N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的场景中。该器件由Infineon Technologies制造,采用TO-220封装形式,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
  IRFR320通过优化设计实现了较低的栅极电荷和输出电容,从而提升了开关速度,并降低了开关损耗。此外,它还具备良好的热稳定性和鲁棒性,适用于多种工业和消费类电子应用。

参数

最大漏源电压:500V
  连续漏极电流:6.8A
  导通电阻:1.4Ω
  栅极电荷:22nC
  总电容:210pF
  功耗:19W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

IRFR320的关键特性包括:
  1. 高耐压能力,适合高压应用场景。
  2. 低导通电阻,可显著减少传导损耗。
  3. 快速开关性能,有助于降低开关损耗。
  4. 较高的电流承载能力,支持大功率应用。
  5. TO-220标准封装,易于安装和散热管理。
  6. 良好的热稳定性,确保在高温环境下可靠运行。
  7. 高可靠性设计,适应严苛的工作条件。

应用

IRFR320主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 电机控制与驱动
  3. 逆变器
  4. 工业自动化设备
  5. LED照明驱动电路
  6. 消费类电子产品中的功率转换模块
  7. 电池充电管理系统
  由于其高耐压和低损耗特性,IRFR320特别适合于需要高效功率管理的场合。

替代型号

IRFZ44N, IRF540N, FQP50N06L

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IRFR320参数

  • 数据列表IRFR320, IRFU320
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)400V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.8 欧姆 @ 1.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds350pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFR320