IRFR310ATRPBF是英飞凌(Infineon)公司生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用TO-264-3封装,广泛用于需要高效率和低导通电阻的功率转换电路中。其主要特点是具备较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他功率电子应用。
IRFR310ATRPBF的工作电压为50V,能够承受高达184A的脉冲电流。其极低的导通电阻有助于减少功率损耗并提高系统效率。
最大漏源电压:50V
最大连续漏极电流:79A
最大脉冲漏极电流:184A
导通电阻(典型值):1.5mΩ
栅极电荷(典型值):115nC
总热阻(结到环境):62°C/W
工作温度范围:-55°C至175°C
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在高电流应用中可显著降低功耗。
2. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性。
3. 快速开关特性,适合高频开关应用。
4. 优化的栅极电荷设计,降低了驱动损耗。
5. 工作温度范围宽广,适应各种恶劣环境条件。
6. 符合RoHS标准,环保且易于焊接。
7. 封装形式坚固耐用,适合表面贴装和通过孔安装的应用场景。
1. 开关电源(SMPS)
2. 直流-直流转换器
3. 电机驱动控制器
4. 电池管理及保护电路
5. 太阳能逆变器
6. 工业自动化设备中的功率控制模块
7. 汽车电子中的负载切换与驱动电路
8. 其他大功率、高频工作的电子系统
IRFR3202TRPBF, IRFR3204TRPBF, IRFR3205TRPBF