时间：2025/6/24 8:33:46
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IRFR2907ZTRPBF是英飞凌（Infineon）生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用了Trench技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换和电机驱动应用。其封装形式为TO-252（DPAK），有助于提高散热性能并简化PCB设计。
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20：38A
导通电阻Rds(on)：1.4mΩ（在Vgs=10V时）
总功耗Ptot：210W
工作结温范围Tj：-55℃ to +175℃
IRFR2907ZTRPBF具有非常低的导通电阻，能够显著降低传导损耗，提升系统效率。此外，该器件具备快速开关能力，可有效减少开关损耗。同时，其小型化的TO-252封装使其非常适合空间受限的应用场景。
由于采用了先进的Trench MOSFET技术，这款器件还拥有良好的热稳定性和电气可靠性，能够在高温环境下长期运行。它还支持高频开关操作，特别适合于DC-DC转换器、同步整流电路以及各类电源管理模块。
IRFR2907ZTRPBF广泛应用于各种功率电子领域，例如消费类电子产品中的适配器和充电器、通信设备中的电源单元、工业自动化中的电机控制以及新能源领域的逆变器和储能系统。
具体应用场景包括但不限于笔记本电脑适配器、LED驱动器、电信基站电源、无人机动力系统以及电动汽车辅助电源模块等。
IRFR2907Z, IRLR2907, FDP5510
