时间：2025/5/20 19:03:10
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IRFR2905ZTRPBF 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-263封装，适用于多种高功率应用场合。其主要特点是低导通电阻、快速开关速度和高击穿电压，非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和其他需要高效能的电路设计中。
这款MOSFET具有极高的电流承载能力，并且能够承受较高的电压，因此在工业控制、消费电子和汽车电子等领域有广泛的应用场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：78A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：46nC
输入电容：2050pF
总功耗：220W
工作结温范围：-55℃ to +175℃
IRFR2905ZTRPBF具备非常低的导通电阻（1.8mΩ），这使得它在大电流应用中可以显著减少传导损耗，从而提高整体效率。
此外，其快速开关特性使其适合高频操作环境，同时由于采用了先进的制造工艺，该器件拥有出色的热性能和电气稳定性。
在封装方面，TO-263封装提供了一个坚固耐用的结构，易于安装并有助于散热管理。这种封装形式还支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和组装。
该MOSFET还具有良好的雪崩能力和抗静电能力，增强了其在恶劣环境中的可靠性。
IRFR2905ZTRPBF常被应用于各种需要高功率处理的领域，例如：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 工业逆变器
5. 汽车电子系统中的负载切换
6. 太阳能微逆变器
7. 其他任何需要高性能功率开关的场合。
IRFR2907ZPBF, IRFR2906ZPBF
