型号：IRFR250
　　极性：N沟道
　　漏源电压（VDS）：100 V
　　连续漏极电流（ID）：4.6 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：18 A
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.33 Ω @ VGS = 10 V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.4 Ω @ VGS = 4.5 V
　　栅极电荷（Qg）：27 nC @ VGS = 10 V
　　输入电容（Ciss）：500 pF @ VDS = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：47 ns
　　最大功耗（PD）：50 W
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220AB

IRFR250具备多项关键特性，使其成为中等功率应用中的理想选择。首先，其100V的漏源击穿电压适合多种直流母线电压平台，例如在48V系统或桥式拓扑中可提供足够的安全裕度。其次，该器件的低导通电阻（典型值为0.33Ω，在VGS=10V时）显著降低了导通状态下的功率损耗，有助于提高能效并减少散热需求。这对于紧凑型电源设计尤为重要。
　　该MOSFET采用平面场效应结构，确保了制造的一致性和长期可靠性。其栅极阈值电压通常在2V至4V之间，兼容标准逻辑电平驱动信号，但为了完全增强导通，推荐使用10V驱动电压。这使得它既能与专用MOSFET驱动器配合使用，也能在某些情况下直接由微控制器通过缓冲器驱动。
　　IRFR250具有较低的栅极电荷（Qg=27nC），这意味着驱动电路所需的能量较小，从而减少了驱动损耗，并支持更高的开关频率操作。这对于现代高频开关电源设计至关重要，因为它允许使用更小的磁性元件和滤波电容，进而缩小整体体积。
　　另一个重要特性是其内置体二极管的存在，虽然不是专门优化用于快速恢复，但在同步整流或感性负载续流场景中仍能提供基本功能。然而，在高频率或大电流换向应用中，建议外加肖特基二极管以改善效率。
　　该器件还具备一定的单脉冲雪崩能量承受能力（EAS），可在过压或电感突变事件中提供一定程度的自我保护，增强了系统在异常工况下的稳健性。此外，TO-220封装提供了良好的热传导路径，便于连接散热片，使器件能在较高环境温度下持续运行。综合来看，IRFR250凭借其平衡的电气性能、可靠性和成本效益，成为众多经典功率设计中的首选器件之一。

IRFR250广泛应用于多个领域，涵盖工业控制、消费电子和汽车电子等。在开关模式电源（SMPS）中，常用于反激式、正激式或半桥拓扑的主开关元件，尤其适用于输出功率在50W至200W之间的电源适配器和AC-DC转换器。其100V耐压等级能够满足多数离线式电源的设计需求，尤其是在PFC后级或辅助电源部分表现出色。
　　在电机驱动方面，IRFR250可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为低端或高端开关使用。尽管其电流承载能力有限，但在轻载或间歇工作模式下仍具备良好表现，常见于打印机、扫描仪、电动工具和家用电器等产品中。
　　该器件也常用于DC-DC降压或升压转换器中，特别是在非隔离式Buck或Boost拓扑中作为主控开关。由于其较快的开关速度和较低的栅极驱动要求，非常适合由PWM控制器直接驱动的应用场合。
　　此外，IRFR250还可用于电池管理系统中的充放电控制开关、LED照明驱动电路中的恒流调节开关，以及各种电源切换和负载开关应用。在汽车电子中，虽不属AEC-Q101认证器件，但仍可能用于非关键性的车载电源模块中，如车载充电器或辅助电源单元。
　　由于其通孔封装形式易于手工焊接和维修，因此在原型开发、教育实验和小批量生产中也被广泛采用。总的来说，IRFR250是一款通用性强、适应面广的功率MOSFET，适用于对成本、性能和可靠性均有要求的中低功率电子系统。

IRF530
　　IRFZ34N
　　FQP10N10