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IRFR24N15DTRPBF 发布时间 时间:2025/5/7 15:19:25 查看 阅读:10

IRFR24N15DTRPBF是英飞凌(Infineon)生产的一款N沟道功率MOSFET。这款器件采用TO-263封装,适用于高效率、高频率开关应用,广泛用于工业和消费电子领域。其主要特点包括低导通电阻、高电流处理能力以及出色的热性能。

参数

最大漏源电压:150V
  最大连续漏极电流:7.9A
  导通电阻:0.18欧姆
  栅极电荷:22nC
  总功耗:25W
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

IRFR24N15DTRPBF是一款高效的功率MOSFET,具备以下优点:
  1. 低导通电阻设计降低了导通损耗,提高了整体系统效率。
  2. 高额定电压(150V)确保了其在高压环境中的可靠性。
  3. 采用TO-263封装形式,具有良好的散热性能。
  4. 快速开关速度和较低的栅极电荷使得该器件非常适合高频应用。
  5. 工作温度范围广,适应各种恶劣的工作条件。

应用

该MOSFET适用于多种应用场景,例如电源管理电路、DC-DC转换器、电机驱动器、开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)以及太阳能逆变器等。其高效率和高可靠性使其成为许多工业和消费类电子产品中的理想选择。

替代型号

IRFZ44N, IRFR24N15TRPBF

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IRFR24N15DTRPBF参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C24A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C95 毫欧 @ 14A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs45nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds890pF @ 25V
  • 功率 - 最大140W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFR24N15DTRPBF-NDIRFR24N15DTRPBFTR