IRFR222 时间：2025/12/26 20:30:57 阅读：10

IRFR222是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种需要高效能低损耗功率控制的场合。该器件采用先进的沟槽栅极和场截止技术，具有优异的导通电阻与栅极电荷平衡特性，使其在高频率开关应用中表现出色。IRFR222的设计注重热性能和可靠性，适用于工业控制、消费类电子产品及便携式设备中的功率管理模块。其封装形式为TO-220AB，具备良好的散热能力，能够在较宽的温度范围内稳定工作。作为一款通用型功率MOSFET，IRFR222在性价比和性能之间取得了良好平衡，是许多中等功率应用的理想选择之一。
　　该器件符合RoHS环保标准，并经过严格的质量测试，确保在各种恶劣环境下仍能保持稳定的电气性能。此外，IRFR222还具备较强的抗雪崩能力和坚固的栅极结构，能够承受瞬态过压和电流冲击，提升了系统整体的鲁棒性。由于其成熟的制造工艺和长期供货保障，IRFR222被广泛用于替换其他品牌或型号的类似规格MOSFET，在市场上拥有较高的可获得性和设计兼容性。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：500 V
　　连续漏极电流（Id）：3.8 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：15 A
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　导通电阻（Rds(on)）：2.2 Ω @ Vgs = 10 V
　　导通电阻（Rds(on)）：2.8 Ω @ Vgs = 5 V
　　阈值电压（Vgs(th)）：2 V ~ 4 V
　　输入电容（Ciss）：300 pF @ Vds = 25 V
　　输出电容（Coss）：110 pF @ Vds = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：75 ns
　　最大功耗（Pd）：50 W
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +150 °C
　　封装：TO-220AB

特性

IRFR222具备出色的电气特性和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与高电压耐受能力的结合，使得它在500V级别的开关应用中表现出优异的效率。该器件的Rds(on)典型值仅为2.2Ω（在Vgs=10V时），有效降低了导通状态下的功率损耗，尤其适合对能效要求较高的电源设计。同时，由于采用了优化的沟槽栅结构，IRFR222在保持低导通电阻的同时也实现了较低的栅极电荷（Qg），从而减少了驱动电路的能量消耗并提高了开关速度，适用于高频工作的DC-DC变换器和SMPS（开关模式电源）。
　　该MOSFET具有良好的热阻特性，通过TO-220AB封装可实现高效的热量传导，允许在高负载条件下长时间运行而不易发生热失效。此外，其最大漏源击穿电压高达500V，能够应对瞬时高压冲击，适用于离线式电源设计中的初级侧开关或次级整流同步控制。器件的阈值电压范围为2V至4V，确保了与常见逻辑电平驱动信号的良好兼容性，支持直接由控制器IC驱动而无需额外的电平转换电路。
　　IRFR222还具备较强的抗雪崩能量能力，意味着在感性负载断开或异常工况下，器件能够吸收一定的反向能量而不损坏，提升了系统的安全裕度。其内部寄生二极管具有较快的反向恢复时间（trr约75ns），有助于减少换流过程中的损耗和电磁干扰（EMI）。综合来看，这款MOSFET在可靠性、效率和成本之间实现了良好平衡，特别适合用于工业电源、照明镇流器、适配器和小型逆变器等应用场景。

应用

IRFR222常用于各类中等功率的开关电源系统中，如AC-DC适配器、离线式反激变换器、正激转换器等，作为主开关或同步整流器件使用。它也适用于DC-DC升压、降压及升降压拓扑结构，在太阳能充电控制器、LED驱动电源、小型UPS不间断电源和电池管理系统中有广泛应用。此外，该器件可用于电机驱动电路，特别是在小功率直流电机或步进电机的H桥驱动中充当开关元件，提供快速响应和低功耗运行。工业自动化设备中的继电器替代方案、固态开关和负载切换模块也是其典型应用领域。由于其封装便于安装散热片，因此在需要一定功率密度且依赖自然对流散热的环境中表现尤为突出。