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IRFR18N15DPBF 发布时间 时间:2025/5/23 9:44:52 查看 阅读:8

IRFR18N15DPBF 是一款由英飞凌(Infineon)推出的 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用 TO-263 封装形式,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种电源管理应用,例如 DC-DC 转换器、电机驱动、电池保护电路等。其工作电压范围高达 150V,能够承受较高的漏源极电压,同时具备良好的热稳定性和可靠性。
  该 MOSFET 在设计时特别注重降低导通损耗和开关损耗,适合高频开关应用场景。

参数

最大漏源电压:150V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻(典型值):0.097Ω
  栅极电荷:14nC
  总电容(输入电容):1090pF
  最大功耗:120W
  结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:TO-263

特性

IRFR18N15DPBF 的主要特性包括以下几点:
  1. 高电压能力:其最大漏源电压为 150V,能够胜任高压环境下的开关任务。
  2. 低导通电阻:在额定条件下,导通电阻仅为 0.097Ω,有助于减少导通损耗,提高效率。
  3. 快速开关性能:由于其较低的栅极电荷和优化的内部结构,可以实现快速开关操作,减少开关损耗。
  4. 热稳定性强:该器件能够在 -55℃ 至 +150℃ 的宽温度范围内正常工作,确保在恶劣环境中的可靠性。
  5. 高电流承载能力:支持高达 18A 的连续漏极电流,适合大电流应用。
  6. 小型化封装:TO-263 封装不仅节省空间,还便于散热管理。

应用

IRFR18N15DPBF 广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景,具体应用领域包括:
  1. 开关电源(SMPS):作为主开关或同步整流元件。
  2. DC-DC 转换器:用于降压或升压转换器中,以实现高效的电压调节。
  3. 电机驱动:控制直流无刷电机或步进电机的速度和方向。
  4. 电池保护电路:防止过充、过放及短路等情况。
  5. 工业自动化设备:如 PLC 控制系统、伺服驱动器等中的功率级组件。
  6. 汽车电子:适配于车载充电器、逆变器等需要高可靠性的场合。

替代型号

IRFZ44N, IRF540N, STP18NF15L

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IRFR18N15DPBF参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C125 毫欧 @ 11A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs43nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds900pF @ 25V
  • 功率 - 最大110W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFR18N15DPBF