IRFR15N20D 时间：2025/10/28 9:32:24 阅读：20

IRFR15N20D是一款由Infineon Technologies（原International Rectifier）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于中高功率开关电路中。该器件采用先进的平面栅极技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于多种电源管理场合。其额定电压为200V，连续漏极电流在25°C时可达14A，能够处理较高的功率负载。IRFR15N20D封装形式为TO-220AB，具备良好的散热性能，适合安装在散热片上以增强热管理能力。该MOSFET设计用于高效能DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器以及电源开关等应用。其内部集成了快速恢复体二极管，有助于减少外部元件数量并提升系统整体效率。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品的设计需求。由于其优异的电气特性和可靠性，IRFR15N20D在工业控制、消费电子及照明电源领域均有广泛应用。

参数

型号：IRFR15N20D
　　类型：N沟道
　　漏源电压(Vdss)：200V
　　连续漏极电流(Id) @ 25°C：14A
　　脉冲漏极电流(Idm)：56A
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　导通电阻(Rds(on)) @ Vgs = 10V：150mΩ
　　导通电阻(Rds(on)) @ Vgs = 5V：220mΩ
　　栅极电荷(Qg) @ 10V：47nC
　　输入电容(Ciss)：1100pF
　　反向恢复时间(trr)：45ns
　　二极管正向压降(Vf)：1.35V
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-220AB

特性

IRFR15N20D具备出色的动态和静态性能，使其成为多种功率开关应用的理想选择。
　　首先，其200V的漏源击穿电压确保了在高压环境下的稳定运行，适用于工业电源、逆变器和感应加热等需要承受瞬态高压的场景。低导通电阻是该器件的一大亮点，在Vgs=10V时Rds(on)仅为150mΩ，有效降低了导通损耗，提高了系统效率，尤其在大电流工作条件下表现突出。这种低Rds(on)特性还减少了发热，从而延长了器件寿命并降低了对散热系统的要求。
　　其次，该MOSFET具有快速的开关响应能力，得益于较低的栅极电荷（Qg=47nC）和输入电容（Ciss=1100pF），能够在高频开关应用中实现更高的转换效率，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC变换器等需要高频率操作的电路。同时，集成的快速恢复体二极管具有45ns的反向恢复时间，显著减少了开关过程中的能量损耗和电压尖峰，避免了因二极管反向恢复引起的电磁干扰问题，提升了系统的EMI性能。
　　再者，IRFR15N20D采用TO-220AB封装，具备优良的机械强度和热传导性能，便于安装于散热器上进行强制风冷或自然散热，适合在高温环境中长期运行。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）进一步增强了环境适应性，可在恶劣工业环境下可靠工作。
　　最后，该器件通过了严格的可靠性测试，具备良好的抗雪崩能力和抗过载能力，能够在突发故障或异常工况下保持一定耐受性，提高整个系统的安全性与鲁棒性。这些综合优势使得IRFR15N20D在众多同类产品中脱颖而出，成为工程师设计高性能功率电路时的重要选择之一。

应用

IRFR15N20D广泛应用于各类中高功率电子系统中。
　　在电源领域，它常被用于开关模式电源（SMPS）中的主开关器件，特别是在AC-DC和DC-DC转换器中，凭借其低导通电阻和高开关速度，可显著提升电源转换效率并减小体积。在离线式反激变换器或正激变换器中，该MOSFET能够承受高压输入，并在高频下稳定工作，满足节能电源的设计要求。
　　在电机控制方面，IRFR15N20D可用于直流电机驱动器、步进电机控制器以及小型交流变频器中，作为H桥电路中的开关元件，实现对电机方向和速度的精确控制。其高电流承载能力和快速响应特性有助于提升驱动系统的动态性能。
　　此外，在逆变器系统中，如太阳能逆变器、UPS不间断电源和焊接设备中，该器件用于将直流电转换为交流电的过程，承担主要的功率切换任务。其集成的快速恢复二极管减少了额外续流二极管的需求，简化了电路布局。
　　在工业自动化和照明控制领域，IRFR15N20D也用于固态继电器、电磁阀驱动和高强度放电灯（HID）镇流器等应用中，提供可靠的功率开关功能。其符合RoHS标准的特点也使其适用于出口型电子产品和绿色环保项目。综上所述，IRFR15N20D凭借其优异的电气性能和广泛的适用性，在多个行业中发挥着关键作用。