时间：2025/5/12 12:09:00
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IRFR120N 是一款由英飞凌（Infineon）推出的 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用 TO-247 封装形式，具有高电流处理能力、低导通电阻以及出色的开关性能。这些特性使其非常适合用于各种高功率应用场合，例如电机驱动、DC/DC 转换器、开关电源以及工业控制等领域。
该 MOSFET 的设计基于先进的硅工艺技术，确保了其在高频和大电流条件下依然能够保持稳定的性能表现。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：3.6A
导通电阻（典型值）：2.9Ω
栅极电荷（典型值）：48nC
输入电容（典型值）：1170pF
功耗：125W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
IRFR120N 具有以下显著特点：
1. 高耐压能力：高达 500V 的漏源电压使其适用于高压环境下的各类电路设计。
2. 低导通电阻：仅为 2.9Ω（典型值），有助于降低导通损耗并提高整体效率。
3. 快速开关性能：较小的栅极电荷和输入电容保证了快速的开关速度，从而减少开关损耗。
4. 高可靠性：采用坚固耐用的设计，在极端温度范围内仍能保持稳定运行。
5. 紧凑封装：TO-247 封装提供了良好的散热性能和易于安装的便利性。
6. 符合 RoHS 标准：环保材料确保其符合现代绿色制造要求。
IRFR120N 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：由于其高效率和快速开关能力，非常适合用作功率变换电路中的主开关元件。
2. 电机驱动：在工业自动化设备中，可用于控制电机的速度和方向。
3. DC/DC 转换器：其低导通电阻特性有助于实现高效的电压转换。
4. 工业控制：适用于需要精确电流控制的各种工业应用场景。
5. 逆变器：在太阳能发电系统和其他电力转换设备中作为关键组件使用。
IRFP120N, IRFR120NPBF
