IRFR120N 是一款由英飞凌(Infineon)推出的 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用 TO-247 封装形式,具有高电流处理能力、低导通电阻以及出色的开关性能。这些特性使其非常适合用于各种高功率应用场合,例如电机驱动、DC/DC 转换器、开关电源以及工业控制等领域。
该 MOSFET 的设计基于先进的硅工艺技术,确保了其在高频和大电流条件下依然能够保持稳定的性能表现。
最大漏源电压:500V
连续漏极电流:3.6A
导通电阻(典型值):2.9Ω
栅极电荷(典型值):48nC
输入电容(典型值):1170pF
功耗:125W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
IRFR120N 具有以下显著特点:
1. 高耐压能力:高达 500V 的漏源电压使其适用于高压环境下的各类电路设计。
2. 低导通电阻:仅为 2.9Ω(典型值),有助于降低导通损耗并提高整体效率。
3. 快速开关性能:较小的栅极电荷和输入电容保证了快速的开关速度,从而减少开关损耗。
4. 高可靠性:采用坚固耐用的设计,在极端温度范围内仍能保持稳定运行。
5. 紧凑封装:TO-247 封装提供了良好的散热性能和易于安装的便利性。
6. 符合 RoHS 标准:环保材料确保其符合现代绿色制造要求。
IRFR120N 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):由于其高效率和快速开关能力,非常适合用作功率变换电路中的主开关元件。
2. 电机驱动:在工业自动化设备中,可用于控制电机的速度和方向。
3. DC/DC 转换器:其低导通电阻特性有助于实现高效的电压转换。
4. 工业控制:适用于需要精确电流控制的各种工业应用场景。
5. 逆变器:在太阳能发电系统和其他电力转换设备中作为关键组件使用。
IRFP120N, IRFR120NPBF