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IRFR1205TRRPBF 发布时间 时间:2025/6/16 19:38:29 查看 阅读:4

IRFR1205TRRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的MOSFET功率晶体管,具体为N沟道增强型场效应晶体管。该器件采用TO-247封装形式,具有低导通电阻和高开关速度的特性,适用于多种功率转换应用场合,例如电机驱动、电源管理、DC-DC转换器等。其高效率和耐用性使其成为工业和消费类电子产品的理想选择。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:2.9mΩ
  栅极电荷:63nC
  总耗散功率:190W
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

IRFR1205TRRPBF采用了先进的制造工艺,具备以下特点:
  1. 极低的导通电阻(2.9mΩ),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速的开关速度,适合高频操作场景。
  3. 高额定电流能力(18A),可以支持大功率负载。
  4. 耐热性能优秀,最高工作结温可达175℃,确保在严苛环境下的可靠性。
  5. TO-247封装设计,便于散热管理和安装。
  6. 具备良好的抗雪崩能力,能够在异常条件下提供额外保护。

应用

该型号的MOSFET广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
  2. 电机驱动电路,用于控制直流或无刷电机。
  3. DC-DC转换器,特别是在需要高效能量转换的汽车电子设备中。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 太阳能逆变器以及其他新能源相关产品。
  6. 各种需要高性能功率切换的应用场景。

替代型号

IRFP260N, STP18NF50, FDP16N50

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IRFR1205TRRPBF参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C44A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C27 毫欧 @ 26A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs65nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1300pF @ 25V
  • 功率 - 最大107W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)