时间：2025/6/27 12:23:41
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IRFR1205NTRRPBF 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道功率 MOSFET 芯片，采用 TO-263-3 封装形式。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等场景中。其优秀的电气性能和热稳定性使其成为众多工业及消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：72A
导通电阻：3.8mΩ
栅极电荷：129nC
输入电容：2220pF
工作结温范围：-55℃ 至 150℃
IRFR1205NTRRPBF 的主要特点是其低导通电阻（Rds(on)），这使得它在高电流应用中能够减少功耗并提升效率。同时，其快速开关能力和低栅极电荷特性也使得它可以有效降低开关损耗。
此外，该芯片支持较宽的工作温度范围，并且具备良好的热稳定性，适合于恶劣环境下的使用。TO-263-3 封装形式则确保了芯片与外部电路的良好连接性和散热性能。
该功率 MOSFET 主要应用于需要高效开关和大电流处理的场景中，例如开关模式电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器以及负载切换等领域。由于其低导通电阻和高电流承载能力，这款芯片特别适合用于高功率密度的设计方案。
IRFR1205SPPBF
