型号：IRFR111
　　极性：N沟道
　　漏源电压(VDS)：60V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：5.7A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：22A
　　导通电阻(RDS(on))：0.18Ω @ VGS = 10V
　　导通电阻(RDS(on))：0.23Ω @ VGS = 4.5V
　　阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容(Ciss)：300pF @ VDS = 25V
　　输出电容(Coss)：110pF @ VDS = 25V
　　反向恢复时间(trr)：25ns
　　最大功耗(PD)：50W @ 25°C
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220AB

IRFR111具备出色的电气特性和热稳定性，使其成为众多功率开关应用的理想选择。其低导通电阻RDS(on)显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体效率。在VGS为10V时，RDS(on)仅为0.18Ω，而在更常见的逻辑电平驱动条件下（如4.5V），仍能保持0.23Ω的低阻值，这使得它适用于多种驱动环境，包括微控制器直接驱动的应用。器件的阈值电压范围为2.0V至4.0V，确保了在不同温度和工艺偏差下仍能可靠开启。
　　该MOSFET具有快速的开关速度，得益于其较低的输入和输出电容（Ciss为300pF，Coss为110pF），能够有效减少开关过程中的延迟和能量损耗，从而提升高频工作的性能。反向恢复时间trr为25ns，表明体二极管具有较快的响应能力，有助于降低在感性负载切换过程中产生的尖峰电压和电磁干扰。
　　IRFR111还具备良好的热性能，最大功耗可达50W（在25°C环境下），且结温范围宽达-55°C至+150°C，可在恶劣环境条件下稳定运行。其封装采用TO-220AB形式，不仅提供了良好的机械强度，还能通过散热片有效传导热量，增强长期工作的可靠性。此外，该器件经过优化设计，具有一定的抗雪崩能力，能够在电压瞬变或负载突变时承受一定的能量冲击，提高了系统的鲁棒性。
　　在制造工艺方面，IRFR111采用了英飞凌成熟的平面栅极技术，保证了产品的一致性和良率。这种结构虽然相比沟槽型MOSFET在导通电阻上略有劣势，但在栅极可靠性、dv/dt耐受能力和成本控制方面具有优势，尤其适合中等功率应用。总体而言，IRFR111以其平衡的性能指标、可靠的封装和广泛的工作范围，成为工程师在设计中小功率开关电路时的优选器件之一。

IRFR111广泛应用于各类需要高效开关控制的电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、DC-DC降压或升压转换器，其中其低导通电阻和快速开关特性有助于提高电源效率并减小散热需求。在电池供电设备中，例如便携式仪器、电动工具和无人机电源管理模块，IRFR111可用于电池充放电控制、负载开关或电源路径管理，帮助延长续航时间。
　　在电机驱动领域，该器件可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为高低边开关元件，实现正反转和调速功能。由于其能够承受一定的脉冲电流（最高22A），因此在启动或堵转等瞬态工况下仍能保持稳定工作。此外，在逆变器和UPS（不间断电源）系统中，IRFR111可用于低功率逆变桥臂，配合控制电路将直流电转换为交流电输出。
　　工业控制方面，该MOSFET常被用于固态继电器（SSR）、电磁阀驱动、LED恒流驱动电源以及各种数字I/O扩展模块中的功率开关。在汽车电子中，尽管不属于车规级器件，但在后装市场或辅助系统（如车载充电器、风扇控制）中也有应用实例。此外，IRFR111还可用于过流保护电路、热插拔控制器和浪涌抑制器等安全相关设计中，利用其电压驱动特性和可控导通能力实现精确的电源管理功能。总之，凡是在60V以下电压范围内需要高效、可靠开关的场合，IRFR111都是一个值得考虑的技术方案。

IRLZ111PBF,IRFZ11,STP5NK60ZFP