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IRFR110TR 发布时间 时间:2025/6/4 18:03:26 查看 阅读:6

IRFR110TR 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-264封装,适用于高电流和高频开关应用。其主要特点是低导通电阻、高击穿电压和快速开关性能,广泛用于工业控制、电源管理以及电机驱动等场景。
  该器件的设计能够承受较大的漏源电压,并且在高频条件下仍能保持较低的功耗。同时,其栅驱动电路集成。

参数

型号:IRFR110TR
  类型:N沟道增强型MOSFET
  封装:TO-264
  漏源电压(Vds):55V
  连续漏极电流(Id):38A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2.5V~4.5V
  总功耗(Ptot):270W
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

IRFR110TR 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(3.5mΩ),这使得器件在大电流应用中具有较高的效率并减少热损耗。
  2. 高击穿电压(55V),确保在较高电压环境下可靠运行。
  3. 快速开关性能,适合高频应用,如开关电源和DC-DC转换器。
  4. 栅极电荷较小,降低了驱动损耗,使器件更适合高频场合。
  5. 宽温度范围(-55℃至+175℃),能够在极端环境条件下稳定工作。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  这些特点使其成为需要高效、高性能和可靠性的应用的理想选择。

应用

IRFR110TR 广泛应用于多种领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器和逆变器中的功率开关。
  3. 电机驱动和控制电路,特别是大电流电机的应用。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
  6. 高效节能照明系统中的功率调节。
  由于其出色的性能,这款MOSFET非常适合需要高效率和高可靠性的电子设备。

替代型号

IRFR110G, IRFZ44N, FDP16N50C

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IRFR110TR参数

  • 数据列表IRFR110, SiHRF110
  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C540 毫欧 @ 2.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8.3nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds180pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)