时间：2025/6/4 18:03:26
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IRFR110TR 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-264封装，适用于高电流和高频开关应用。其主要特点是低导通电阻、高击穿电压和快速开关性能，广泛用于工业控制、电源管理以及电机驱动等场景。
该器件的设计能够承受较大的漏源电压，并且在高频条件下仍能保持较低的功耗。同时，其栅驱动电路集成。
型号：IRFR110TR
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：TO-264
漏源电压（Vds）：55V
连续漏极电流（Id）：38A
导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.5V~4.5V
总功耗（Ptot）：270W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
IRFR110TR 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（3.5mΩ），这使得器件在大电流应用中具有较高的效率并减少热损耗。
2. 高击穿电压（55V），确保在较高电压环境下可靠运行。
3. 快速开关性能，适合高频应用，如开关电源和DC-DC转换器。
4. 栅极电荷较小，降低了驱动损耗，使器件更适合高频场合。
5. 宽温度范围（-55℃至+175℃），能够在极端环境条件下稳定工作。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
这些特点使其成为需要高效、高性能和可靠性的应用的理想选择。
IRFR110TR 广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器和逆变器中的功率开关。
3. 电机驱动和控制电路，特别是大电流电机的应用。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电池管理系统（BMS）中的保护开关。
6. 高效节能照明系统中的功率调节。
由于其出色的性能，这款MOSFET非常适合需要高效率和高可靠性的电子设备。
IRFR110G, IRFZ44N, FDP16N50C
