IRFR110TR 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-264封装,适用于高电流和高频开关应用。其主要特点是低导通电阻、高击穿电压和快速开关性能,广泛用于工业控制、电源管理以及电机驱动等场景。
该器件的设计能够承受较大的漏源电压,并且在高频条件下仍能保持较低的功耗。同时,其栅驱动电路集成。
型号:IRFR110TR
类型:N沟道增强型MOSFET
封装:TO-264
漏源电压(Vds):55V
连续漏极电流(Id):38A
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
栅极阈值电压(Vgs(th)):2.5V~4.5V
总功耗(Ptot):270W
工作温度范围:-55℃ to +175℃
IRFR110TR 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(3.5mΩ),这使得器件在大电流应用中具有较高的效率并减少热损耗。
2. 高击穿电压(55V),确保在较高电压环境下可靠运行。
3. 快速开关性能,适合高频应用,如开关电源和DC-DC转换器。
4. 栅极电荷较小,降低了驱动损耗,使器件更适合高频场合。
5. 宽温度范围(-55℃至+175℃),能够在极端环境条件下稳定工作。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
这些特点使其成为需要高效、高性能和可靠性的应用的理想选择。
IRFR110TR 广泛应用于多种领域,包括但不限于以下方面:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器和逆变器中的功率开关。
3. 电机驱动和控制电路,特别是大电流电机的应用。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
6. 高效节能照明系统中的功率调节。
由于其出色的性能,这款MOSFET非常适合需要高效率和高可靠性的电子设备。
IRFR110G, IRFZ44N, FDP16N50C