您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRFR1010ZTRPBF

IRFR1010ZTRPBF 发布时间 时间:2023/3/9 14:30:48 查看 阅读:412

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:HEXFET?

 

目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:HEXFET?

    FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 特点:标准型

    开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:7.5 毫欧 @ 42A, 10V

    漏极至源极电压(Vdss):55V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:42A

    Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 100?A

    闸电荷(Qg) @ Vgs:95nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :2840pF @ 25V

    功率 - 最大:140W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)

    包装:带卷 (TR)

    供应商设备封装:D-Pak


资料

厂商
Infineon Technologies

IRFR1010ZTRPBF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRFR1010ZTRPBF参数

  • 标准包装6,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C42A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.5 毫欧 @ 42A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs95nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2840pF @ 25V
  • 功率 - 最大140W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)