时间：2025/5/19 14:05:55
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IRFR1010Z 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 治金场效应晶体管（NMOSFET）。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，广泛应用于各种功率转换和电机驱动应用中。
该 MOSFET 的设计优化了其在高频工作条件下的性能表现，同时具备出色的热稳定性和耐用性。其封装形式为 TO-252 (DPAK)，适合表面贴装技术（SMT），从而节省空间并提高生产效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：8A
导通电阻（Rds(on)）：7.5mΩ（典型值，当 Vgs=10V 时）
栅极电荷：34nC
输入电容：1340pF
总耗散功率：2.9W（在 Ta=25°C 时）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
IRFR1010Z 具有以下主要特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效减少导通损耗，提高系统效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用环境。
3. 小型化 DPAK 封装，便于表面贴装，提升 PCB 布局灵活性。
4. 高可靠性与热稳定性，确保长时间运行的安全性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
IRFR1010Z 被广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter）。
3. 电机驱动电路。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 消费类电子产品的负载切换和保护电路。
6. 太阳能逆变器及 LED 驱动等功率控制场景。
IRLZ44N, FDN340P
