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IRFR020TRPBF 发布时间 时间:2025/6/19 19:12:23 查看 阅读:4

IRFR020TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道增强型功率MOSFET。这款晶体管广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。其封装形式为TO-263 (D2PAK),具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适用于高效率和高密度的电力电子设计。
  该器件在高频应用中表现出色,能够提供快速的开关速度,并且具备良好的热稳定性和可靠性,适合工业和消费类电子设备。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:78A
  导通电阻:1.9mΩ
  栅极电荷:104nC
  输入电容:2150pF
  总热阻:1.1°C/W
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C

特性

IRFR020TRPBF 的主要特点是低导通电阻,这有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。此外,它还具有快速开关能力,能够有效降低开关损耗。其大电流处理能力和稳健的设计使其非常适合要求严格的电力转换场景。
  该器件的封装采用裸露焊盘设计,增强了散热性能,允许更高的功率密度。同时,它的高雪崩能量能力进一步提高了系统的可靠性和耐用性。

应用

这款MOSFET 常用于各种高效能电力转换应用中,包括但不限于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电动工具驱动电路、汽车电子控制单元(ECU)以及电信电源系统。
  由于其出色的电气性能和热性能,IRFR020TRPBF 在需要大电流和低损耗的应用中表现优异,例如同步整流、负载切换和电池管理系统等。

替代型号

IRFZ44N, IRFP250N, STP75NF06L

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IRFR020TRPBF参数

  • 数据列表IRFR020
  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 8.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds640pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFR020PBFTRIRFR020TRPBF-NDIRFR020TRPBFTR-ND