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IRFR010PBF 发布时间 时间：2023/3/7 15:52:31 查看 阅读：310

    类别：分离式半导体产品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 单

    系列：HEXFET?

   

目录

概述

    类别：分离式半导体产品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 单

    系列：HEXFET?

    FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

    FET 特点：标准型

    开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：200 毫欧 @ 4.2A, 10V

    漏极至源极电压(Vdss)：50V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：8.2A

    Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA

    闸电荷(Qg) @ Vgs：10nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：250pF @ 25V

    功率 - 最大：25W

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)

    包装：管件

    供应商设备封装：*

    其它名称：*IRFR010PBF


资料

厂商
VISHAY

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IRFR010PBF产品

IRFR010PBF参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)50V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.2A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 4.2A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs10nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds250pF @ 25V
  • 功率 - 最大25W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFR010PBF

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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