型号：IRFPS29N60L
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　连续漏极电流（Id）：14A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：56A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω @ Vgs=10V, Id=7A
　　阈值电压（Vgs(th)）：3.0V ~ 5.0V
　　输入电容（Ciss）：1300pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：190pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：典型值35ns
　　最大功耗（Ptot）：150W @ 25°C
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220FP

IRFPS29N60L具备多项关键特性，确保其在高压功率转换应用中的卓越性能。首先，其600V的高漏源击穿电压使其能够安全地用于全球通用输入电压范围内的开关电源设计，包括85VAC至265VAC的宽电压输入系统。该器件的低导通电阻（Rds(on) = 0.22Ω）显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了电源的整体效率，并减少了对散热系统的依赖。这一特性对于追求小型化和高效化的现代电源设计尤为重要。其次，该MOSFET采用了优化的晶圆工艺，实现了快速开关速度和较低的栅极电荷（Qg），这不仅有助于实现更高的开关频率，还能减少开关过程中的能量损耗，进一步提升系统能效。同时，较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）也有助于降低驱动电路的负担，使得它能够与常见的PWM控制器良好匹配。
　　另一个重要特性是其出色的热稳定性和长期可靠性。TO-220FP封装提供了良好的热传导路径，允许器件在高负载条件下有效散热，延长使用寿命。此外，该器件经过严格测试，具备一定的雪崩耐量能力，可以在异常工作条件下（如电感断续或短路）吸收一定的能量而不损坏，提升了整个系统的安全性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）也使其适用于恶劣环境下的工业级应用。此外，IRFPS29N60L具有较低的反向恢复电荷（Qrr）和较短的反向恢复时间（trr），这对减少体二极管反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI）非常有利，尤其是在硬开关拓扑中表现突出。这些综合特性使IRFPS29N60L成为高性能电源设计的理想选择。

IRFPS29N60L主要应用于各类中高功率开关模式电源（SMPS）系统中，尤其适合需要高效率和高可靠性的场合。常见应用包括AC-DC电源适配器、台式计算机电源（ATX）、服务器电源模块以及工业用开关电源单元。在这些系统中，该MOSFET通常作为主开关管使用，工作在反激、正激或半桥拓扑结构中，负责将输入交流电压整流后进行高频斩波，实现电压变换与隔离。此外，它也被广泛用于LED恒流驱动电源，特别是在大功率户外照明、商业照明系统中，因其高效的能量转换能力而备受青睐。
　　在可再生能源领域，IRFPS29N60L可用于小型光伏并网逆变器或离网型太阳能逆变器中的DC-AC转换环节，承担直流侧的高频开关任务。在电机控制方面，该器件适用于中小功率的交流电机驱动或直流无刷电机控制器，特别是在家电类产品如空调压缩机、洗衣机、风扇等内部的变频模块中表现出色。此外，它还可用于不间断电源（UPS）、焊接设备、充电站电源模块等工业电子设备中。由于其具备良好的抗噪能力和稳定的电气特性，即使在电网波动较大的环境中也能保持稳定运行。总之，IRFPS29N60L凭借其高耐压、低损耗和强适应性，已成为多种电力电子系统中不可或缺的核心元器件。

SPW29N60CFD
　　STF29N60M2
　　FQA28N60
　　IPW60R280E
　　TK29A60U