时间：2025/12/26 20:05:22
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IRFPF50-026是一款由Infineon Technologies（英飞凌）推出的功率MOSFET器件，专为高电流、高效率的电源管理应用而设计。该器件采用先进的沟槽式场截止（TrenchSTOP?）技术，结合超结（Superjunction）结构，提供了优异的导通电阻与栅极电荷平衡，从而在硬开关和高频应用中表现出色。IRFPF50-026属于英飞凌的PQFN 3x3功率封装系列，具备低热阻和高功率密度的特点，适用于紧凑型电源设计。该MOSFET为N沟道增强型器件，主要用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关以及电机驱动等场合。其封装形式为PQFN（Power Quad Flat No-leads），尺寸小巧，适合高度集成的PCB布局，并支持回流焊工艺，便于自动化生产。
该器件在设计上优化了热性能和电气性能，能够在较高的结温下稳定工作，提升了系统的可靠性。此外，IRFPF50-026具有较低的寄生电感和电阻，有助于减少开关损耗和电磁干扰（EMI），提高整体能效。其引脚兼容市场上其他主流PQFN封装MOSFET，便于系统升级和替代设计。由于其高性能和小尺寸特性，IRFPF50-026广泛应用于通信设备、服务器电源、便携式电子设备及工业控制等领域。
型号：IRFPF50-026
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100 V
最大连续漏极电流（Id）：40 A
最大脉冲漏极电流（Idm）：120 A
最大栅源电压（Vgs）：±20 V
导通电阻（Rds(on)）：2.6 mΩ @ Vgs=10V, Id=20A
导通电阻（Rds(on)）：3.2 mΩ @ Vgs=4.5V, Id=20A
栅极电荷（Qg）：48 nC @ Vds=50V, Vgs=10V
输入电容（Ciss）：2300 pF @ Vds=25V
反向恢复时间（trr）：25 ns
阈值电压（Vth）：3.0 V ~ 4.0 V
功率耗散（Pd）：125 W
工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +175 °C
封装类型：PQFN 3x3
IRFPF50-026的核心优势在于其采用了英飞凌先进的TrenchSTOP?与超结技术相结合的制造工艺，这种结构显著降低了器件的导通电阻（Rds(on)），同时保持了良好的开关速度。其典型导通电阻仅为2.6 mΩ，在同类100V N沟道MOSFET中处于领先水平，这意味着在大电流应用中能够有效降低导通损耗，提升系统效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）控制在48 nC左右，较低的栅极驱动需求使其在高频开关电源中表现优异，减少了驱动电路的功耗和复杂性。
该MOSFET的PQFN 3x3封装不仅体积小巧（仅3 mm x 3 mm），还具备出色的热性能。底部带有裸露焊盘，可通过PCB散热路径高效导出热量，热阻（RthJC）低至0.9 K/W，确保在高功率密度环境下仍能维持稳定的结温。这种封装还减少了引线电感，提升了开关瞬态响应，降低了电压尖峰和振荡风险，增强了系统可靠性。
IRFPF50-026具有较强的抗雪崩能力和鲁棒性，能够在瞬态过压或短路条件下保持稳定工作，适合严苛的工业和汽车级应用环境。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）使其可在极端温度条件下可靠运行。此外，该器件符合RoHS环保标准，无卤素，支持绿色电子制造要求。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性（trr约25ns），在同步整流等需要快速换向的应用中表现出色，减少了反向恢复损耗和EMI噪声。
总体而言，IRFPF50-026通过优化的电气参数、先进的封装技术和可靠的制造工艺，为现代高效率、小型化电源系统提供了理想的功率开关解决方案。其综合性能优于传统DPAK或SO-8封装的MOSFET，是追求高性能与空间节省的设计工程师的理想选择。
IRFPF50-026广泛应用于需要高效率和高功率密度的电源系统中。其主要应用场景包括：大电流DC-DC降压或升压转换器，特别是在服务器、通信基站和高端计算设备的VRM（电压调节模块）中作为主开关或同步整流器使用；便携式电子设备中的负载开关和电源路径管理，利用其低导通电阻减少压降和发热；电机驱动电路，如无人机电调、电动工具和小型伺服系统，凭借其快速开关能力和高电流承载能力实现高效控制；工业电源和UPS系统中的功率因数校正（PFC）级或输出整流环节；此外，还可用于电池管理系统（BMS）、LED驱动电源以及太阳能微逆变器等新兴领域。得益于其小尺寸PQFN封装，该器件特别适合空间受限但对热性能要求高的紧凑型设计。
IPD90N10S3L
