您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRFPC50APBF

IRFPC50APBF 发布时间 时间:2023/3/7 16:05:08 查看 阅读:514

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:-

  


目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:-

    FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 特点:标准型

    开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:580 毫欧 @ 6A, 10V

    漏极至源极电压(Vdss):600V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:11A

    Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250μA

    闸电荷(Qg) @ Vgs:70nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :2100pF @ 25V

    功率 - 最大:180W

    安装类型:通孔

    封装/外壳:TO-247-3 (直引线), TO-247AC

    包装:管件

    供应商设备封装:*

    其它名称:*IRFPC50APBF


资料

厂商
VISHAY
Vishay Semiconductors

IRFPC50APBF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRFPC50APBF资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IRFPC50APBF产品

IRFPC50APBF参数

  • 数据列表IRFPC50A
  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C580 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs70nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2100pF @ 25V
  • 功率 - 最大180W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247-3
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFPC50APBF