型号：IRFP90N20
　　类型：P沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：650V
　　最大漏极电流（Id）：90A
　　最大功耗（Ptot）：300W
　　导通电阻（Rds(on)）：0.095Ω
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：-3.0V 至 -5.0V
　　输入电容（Ciss）：4200pF
　　输出电容（Coss）：1050pF
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247

IRFP90N20的核心优势在于其先进的超级结（Superjunction）结构设计，这种结构通过交替排列的P型和N型柱状区域实现极高的掺杂浓度平衡，在保持高击穿电压的同时显著降低漂移区电阻，从而大幅减小导通损耗。这一特性使得器件在650V高压应用中仍能维持低至95mΩ的典型Rds(on)，有效提升电源系统的整体效率。此外，该MOSFET具备极低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），这直接降低了驱动电路的功耗并加快了开关速度，尤其适合高频开关环境，如现代高效DC-DC转换器和数字电源模块。
　　另一个关键特性是其优异的热性能和长期可靠性。得益于TO-247封装的大面积金属背板，IRFP90N20拥有较低的结到壳热阻（RthJC），通常仅为0.4 K/W，使其在大电流持续导通条件下也能有效散热，防止热失控。器件还经过严格的雪崩能量测试，具备一定的重复性雪崩耐受能力，可在瞬态过压或感性负载切换时保护自身不被击穿，提高了系统的鲁棒性。此外，其内部寄生二极管具有快速恢复特性，反向恢复电荷（Qrr）较小，减少了反向恢复过程中的尖峰电流和电磁干扰（EMI），有利于简化滤波设计。
　　从制造工艺角度看，IRFP90N20采用成熟的硅基工艺并结合场截止技术，优化了电场在关断状态下的分布，避免局部电场集中导致早期击穿。同时，该器件对dv/dt和di/dt具有较强的抗扰能力，适用于高动态负载变化的应用场景。其栅极氧化层经过特殊处理，能够承受±20V的栅源电压冲击，增强了抗静电（ESD）能力和操作安全性。综合来看，这些特性使IRFP90N20成为追求高效率、高可靠性和紧凑设计的电力电子系统的理想选择。

IRFP90N20广泛应用于各类高功率开关电源系统中，尤其是在需要高电压等级和高效能转换的设备中表现突出。典型应用包括通信电源、服务器PSU、工业电机驱动器中的H桥控制电路、不间断电源（UPS）以及光伏逆变器的直流斩波和DC-AC转换级。在这些系统中，IRFP90N20常用于半桥或全桥拓扑结构中作为主开关元件，利用其低导通电阻和快速开关特性来降低传导和开关损耗，从而提高整体能效。此外，它也适用于感应加热、电焊机和激光电源等高功率脉冲应用，凭借其高电流承载能力和良好的热稳定性，能够在极端工况下长期稳定运行。
　　在新能源领域，IRFP90N20被用于车载充电机（OBC）和直流快充桩的功率因数校正（PFC）阶段，特别是在图腾柱PFC拓扑中，其快速恢复体二极管和低Qrr特性可有效减少无功损耗，提升功率密度。同时，该器件还可用于LED路灯驱动电源和高压直流配电系统，满足对长寿命和高可靠性的严苛要求。在消费类高端家电如变频空调和洗衣机的逆变模块中，IRFP90N20也能提供稳定的功率控制能力。由于其具备较强的抗噪声干扰能力和宽温工作范围，因此在恶劣电磁环境和高温工业现场依然保持良好性能。总之，无论是连续满载运行还是间歇高负荷工作，IRFP90N20都能胜任多种复杂应用场景。

SPW90N60CFDG
　　STW90N60G2
　　IPW90R120P7