时间：2025/12/26 18:22:02
阅读：13
IRFP4668是一款由Infineon Technologies生产的高功率、高电压N沟道增强型MOSFET，采用先进的Superjunction技术设计，专为高性能电源转换应用而优化。该器件封装在TO-247封装中，具有极低的导通电阻和优异的开关特性，适用于高效率、高频率工作的电源系统。IRFP4668能够在高达200V的漏源电压下工作，具备出色的dv/dt抗扰能力和雪崩能量耐受能力，适合在严苛的工作环境下稳定运行。该MOSFET广泛应用于服务器电源、电信整流器、工业电机驱动、DC-DC转换器以及太阳能逆变器等高端电力电子设备中。其坚固的结构设计和可靠的热性能使其成为高功率密度设计中的理想选择。此外，IRFP4668符合RoHS环保标准，并具备良好的热稳定性与长期可靠性，确保在持续负载条件下仍能维持高效性能。通过优化栅极电荷和输出电容，该器件有效降低了开关损耗，从而提升整体系统效率。同时，其低门极电荷和快速响应特性使得在高频开关应用中表现出色，有助于减小磁性元件尺寸并提高功率密度。
作为一款面向工业级应用的MOSFET，IRFP4668还具备较强的抗雪崩能力，能够在非钳位电感开关（UIS）条件下承受一定的重复雪崩能量，提升了系统的鲁棒性。其内部结构经过精心设计，以减少寄生参数的影响，进一步改善动态性能。工程师在使用该器件时通常会配合专用的驱动电路，以充分发挥其高速开关优势，并避免因栅极振荡或米勒效应引起的误触发问题。总之，IRFP4668是一款集高电压、大电流、低损耗与高可靠性于一体的先进功率MOSFET，是现代高效能电源系统中的关键组件之一。
型号：IRFP4668
制造商：Infineon Technologies
晶体管类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：200 V
最大漏极电流（Id）：135 A（连续）
脉冲漏极电流（Idm）：540 A
最大功耗（Ptot）：500 W
导通电阻（Rds(on)）：14 mΩ（典型值，@ Vgs = 10 V）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：4.0 V（典型值）
输入电容（Ciss）：10600 pF（@ Vds = 25 V）
输出电容（Coss）：960 pF（@ Vds = 25 V）
反向恢复时间（trr）：58 ns
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-247
IRFP4668具备多项卓越的技术特性，使其在高功率开关应用中表现突出。首先，其采用Infineon的Superjunction（超级结）技术，显著降低了导通电阻Rds(on)，同时保持了高击穿电压能力。这种结构通过交替排列的P型和N型柱状区域实现电荷平衡，极大提高了单位面积下的载流能力，从而在200V耐压等级下实现了仅14mΩ的超低导通电阻。这不仅减少了导通损耗，还降低了器件在大电流工作时的温升，有助于提升系统效率并简化散热设计。
其次，该器件具有极低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这意味着在开关过程中所需的驱动能量更少，能够实现更快的开关速度和更低的开关损耗。这对于高频开关电源（如LLC谐振转换器、有源钳位反激拓扑）至关重要，可有效提高整体能效并减小变压器和滤波元件的体积。同时，较低的输入电容（Ciss）也减轻了驱动电路的负担，使控制器更容易驱动多个并联MOSFET。
第三，IRFP4668具备出色的热稳定性和高结温能力（最高可达175°C），可在高温环境中长期可靠运行。其TO-247封装提供了优良的热传导路径，便于安装散热器以实现高效散热。此外，该器件经过严格测试，具备一定的单脉冲和重复雪崩能力，在遭遇过压或电感突变时能提供一定程度的自我保护，增强了系统的鲁棒性。
最后，IRFP4668具有良好的dv/dt和di/dt抗扰能力，减少了误触发的风险，提升了系统在复杂电磁环境下的稳定性。综合这些特性，IRFP4668非常适合用于追求高效率、高功率密度和高可靠性的现代电源系统设计中。
IRFP4668广泛应用于多种高性能电源和功率转换系统中。首先，在通信电源和服务器PSU中，它常用于PFC（功率因数校正）升压级或LLC半桥/全桥变换器中，利用其低Rds(on)和快速开关特性来提高转换效率并满足80 PLUS钛金等高能效标准。其次，在工业电源系统中，如大功率DC-DC转换器、焊接设备和UPS不间断电源中，IRFP4668凭借其高电流承载能力和热稳定性，能够胜任长时间高负载运行的需求。
在可再生能源领域，该器件被用于太阳能光伏逆变器的DC-AC转换级，尤其是在组串式或微型逆变器的高频切换部分，其低开关损耗有助于提升整体发电效率。此外，在电机驱动应用中，如伺服驱动器或电动汽车车载充电器（OBC）的辅助电源模块中，IRFP4668可用于构建高效的H桥或同步整流电路，实现精确的电流控制和能量回馈。
由于其高耐压和强抗雪崩能力，IRFP4668也可用于高电压闪光灯驱动、激光电源、医疗成像设备等特种电源场合。在这些应用中，器件需要承受瞬态高压和大电流冲击，而IRFP4668的坚固结构和可靠性正好满足此类需求。综上所述，IRFP4668适用于所有要求高效率、高可靠性和高功率密度的中高端电力电子系统，是现代能源转换技术中的关键元件之一。
IPW60R017P7
STP200N3LLF8
SPW47N20VC
FQP20N20C
