IRFP460Z 时间：2025/12/26 18:40:58 阅读：20

IRFP460Z是一款由Infineon Technologies生产的高电压N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极和场截止技术制造，适用于高效率开关电源、逆变器以及其他需要高耐压和低导通损耗的应用。该器件封装在TO-247全塑封装中，具有优良的散热性能和高可靠性，广泛用于工业控制、电源系统以及照明镇流器等场合。IRFP460Z的设计优化了动态性能与雪崩能量承受能力，使其能够在严苛的工作条件下稳定运行。其高击穿电压特性使其特别适合工作在400V母线电压以上的应用环境，例如AC-DC转换器或电机驱动电路中。
　　这款MOSFET具备快速开关能力和较低的栅极电荷（Qg），有助于减少驱动损耗并提高系统整体效率。同时，它还表现出优异的抗雪崩击穿能力，增强了在感性负载切换过程中的鲁棒性。器件内部结构经过优化，以降低寄生参数的影响，并提升热稳定性，确保长时间连续工作的安全性。由于其高性能参数和坚固的封装设计，IRFP460Z成为许多中高端电力电子设备中的首选功率开关元件之一。

参数

型号：IRFP460Z
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500 V
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　连续漏极电流（Id）：20 A @ 100°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：80 A
　　功耗（Pd）：230 W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 0.27 Ω @ Vgs = 10 V
　　阈值电压（Vgs(th)）：典型值 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：典型值 4900 pF @ Vds = 25 V
　　输出电容（Coss）：典型值 940 pF @ Vds = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：典型值 108 ns
　　工作温度范围：-55 °C 至 +150 °C

特性

IRFP460Z采用了先进的沟槽栅极技术和场截止结构，这种设计显著降低了导通电阻（Rds(on)），同时保持了良好的开关速度，从而有效减少了传导和开关损耗，提升了整体能效。该器件的Rds(on)典型值仅为0.27Ω，在同类500V N沟道MOSFET中处于领先水平，这意味着在大电流工作状态下产生的热量更少，有助于简化散热设计并延长系统寿命。此外，其低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）使得驱动电路所需提供的驱动功率更低，尤其适用于高频开关应用如SMPS（开关模式电源）、DC-DC变换器和电子镇流器等。
　　该MOSFET具备出色的抗雪崩能力，能够承受一定的重复性雪崩能量，这归功于其经过优化的晶圆结构和严格的生产工艺控制。这一特性对于存在感性负载突变或电压瞬态冲击的应用至关重要，例如电机驱动或逆变器系统中，可以有效防止因过压而导致的器件失效。同时，IRFP460Z拥有较高的峰值电流承受能力（脉冲漏极电流可达80A），能够在短时过载或启动浪涌期间维持正常工作。
　　器件的热稳定性表现优异，结温最高可达150°C，且在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。其封装形式为TO-247，具有较大的金属背板面积，便于安装散热器，实现高效的热量传导。该封装符合RoHS标准，不含铅和其他有害物质，适用于现代环保型电子产品制造。另外，IRFP460Z对dv/dt和di/dt的抗扰度较强，能够在高速开关过程中减少误触发风险，提升系统的电磁兼容性（EMC）表现。

应用

IRFP460Z广泛应用于各类高电压、大功率的开关电源系统中，包括但不限于离线式反激变换器、正激变换器、LLC谐振转换器以及有源钳位拓扑结构。其500V的额定电压使其非常适合用于通用交流输入（85–265V AC）条件下的整流后母线电压场景，常见于工业电源、服务器电源、医疗设备电源模块等领域。此外，该器件也常被用于电子荧光灯镇流器（EB）和高强度气体放电灯（HID）驱动电路中，利用其快速开关特性和高耐压优势来实现高效稳定的灯光控制。
　　在逆变器系统中，如太阳能并网逆变器、UPS不间断电源和电机驱动器中，IRFP460Z可用于DC-AC转换级的功率开关，特别是在半桥或全桥拓扑结构中作为主开关管使用。其低导通损耗和良好的热性能有助于提升逆变效率并降低系统温升。同时，该器件也可用于感应加热设备、焊接电源以及激光电源等特种电源领域，在这些应用中往往要求元器件具备高可靠性和长寿命。
　　由于其具备较强的抗雪崩能力和较高的脉冲电流承载能力，IRFP460Z还可用于一些存在感性负载切换的工业控制电路中，例如继电器驱动、电磁阀控制和直流电机斩波调速等。其坚固的结构设计也使其适用于恶劣工作环境下的长期运行，是多种中高功率电力电子装置中理想的功率开关选择。