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IRFP4110PBF 发布时间 时间:2025/6/17 19:40:48 查看 阅读:6

IRFP4110PBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用TO-247封装形式,适合于高电压和大电流的应用场景。它具有较低的导通电阻、较高的击穿电压以及优秀的开关性能,因此广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他电力电子领域。
  该器件的设计使其能够在高压条件下提供高效的功率转换,并具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

最大漏源电压:500V
  连续漏极电流:26A
  导通电阻:0.18Ω
  栅极电荷:95nC
  总功耗:200W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

IRFP4110PBF 的主要特性包括:
  1. 高击穿电压 (500V),适用于高压应用场景。
  2. 较低的导通电阻 (0.18Ω),有助于减少传导损耗并提高效率。
  3. 快速开关能力,能够支持高频操作,降低开关损耗。
  4. 大电流承载能力 (26A 连续漏极电流) 可满足多种功率应用需求。
  5. 采用 TO-247 封装,具有良好的散热性能和机械稳定性。
  6. 工作温度范围宽 (-55℃ 至 +175℃),确保在极端环境下的可靠运行。
  7. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代设计中。

应用

IRFP4110PBF 常用于以下应用领域:
  1. 开关电源(SMPS),例如 AC/DC 转换器。
  2. 电机驱动系统,如工业电机控制或家用电器中的电机驱动。
  3. 逆变器电路,适用于太阳能逆变器或其他类型的电力转换设备。
  4. 电磁兼容性滤波器及保护电路。
  5. 各种需要高电压和大电流处理能力的电力电子设备。

替代型号

IRFP4110TRPbF, IRFP4110GTRPbF

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IRFP4110PBF参数

  • 标准包装25
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C120A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.5 毫欧 @ 75A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs210nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds9620pF @ 50V
  • 功率 - 最大370W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247AC
  • 包装散装