IRFP350PBF是一款N沟道增强型功率MOSFET,由Infineon Technologies生产。这款MOSFET设计用于高功率应用,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点。IRFP350PBF采用TO-247封装,适用于各种电力电子设备,如电源转换器、电机驱动和逆变器等。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流:16A
最大漏源电压:200V
最大栅源电压:±20V
导通电阻(Rds(on)):0.26Ω
最大功耗:125W
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:TO-247
IRFP350PBF的主要特性包括其低导通电阻,这使得在高电流条件下能够保持较低的功率损耗,从而提高系统的整体效率。该器件的高开关速度使其适用于高频开关应用,减少了开关损耗并提高了响应速度。此外,IRFP350PBF具有良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作,增强了器件的可靠性和耐用性。其TO-247封装提供了良好的散热性能,适用于需要高功率密度的设计。IRFP350PBF还具有较高的抗雪崩能力,能够在瞬态过电压条件下保护器件不受损坏。
IRFP350PBF广泛应用于各种高功率电子设备中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器和不间断电源(UPS)等。其高效率和高可靠性使其成为工业自动化、电动汽车充电设备和可再生能源系统中的理想选择。此外,IRFP350PBF还可用于音频放大器和照明设备中的功率调节电路。
IRF350, IRFP250N