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IRFP350PBF 发布时间 时间:2025/7/15 20:48:31 查看 阅读:6

IRFP350PBF是一款N沟道增强型功率MOSFET,由Infineon Technologies生产。这款MOSFET设计用于高功率应用,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点。IRFP350PBF采用TO-247封装,适用于各种电力电子设备,如电源转换器、电机驱动和逆变器等。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏极电流:16A
  最大漏源电压:200V
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻(Rds(on)):0.26Ω
  最大功耗:125W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:TO-247

特性

IRFP350PBF的主要特性包括其低导通电阻,这使得在高电流条件下能够保持较低的功率损耗,从而提高系统的整体效率。该器件的高开关速度使其适用于高频开关应用,减少了开关损耗并提高了响应速度。此外,IRFP350PBF具有良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作,增强了器件的可靠性和耐用性。其TO-247封装提供了良好的散热性能,适用于需要高功率密度的设计。IRFP350PBF还具有较高的抗雪崩能力,能够在瞬态过电压条件下保护器件不受损坏。

应用

IRFP350PBF广泛应用于各种高功率电子设备中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器和不间断电源(UPS)等。其高效率和高可靠性使其成为工业自动化、电动汽车充电设备和可再生能源系统中的理想选择。此外,IRFP350PBF还可用于音频放大器和照明设备中的功率调节电路。

替代型号

IRF350, IRFP250N

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IRFP350PBF参数

  • 数据列表IRFP350
  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)400V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C16A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C300 毫欧 @ 9.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs150nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2600pF @ 25V
  • 功率 - 最大190W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247-3
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFP350PBF