型号：IRFP250N
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：200V
　　最大连续漏极电流（ID）：30A
　　脉冲漏极电流（IDM）：110A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.075Ω @ VGS = 10V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V ~ 4V
　　输入电容（Ciss）：3000pF @ VDS = 25V
　　输出电容（Coss）：520pF @ VDS = 25V
　　反向恢复时间（trr）：280ns
　　功耗（PD）：265W
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-247

IRFP250N具备多项优异的电气和热力学特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻RDS(on)仅为75毫欧姆，在VGS为10伏时即可实现高效导通，显著降低了导通状态下的功率损耗，有助于提高整体系统的能效。这一特性尤其适用于大电流场合，如电源转换器和电机驱动器，可有效减少发热并提升可靠性。其次，该器件具有高达30安培的连续漏极电流承载能力，脉冲电流更可达110安培，展现出强大的过载承受能力，适用于瞬态负载变化剧烈的应用环境。
　　另一个关键特性是其快速的开关响应能力。得益于较低的栅极电荷（典型值Qg约为130nC）和输入电容，IRFP250N能够实现高速开关操作，从而降低开关过程中的能量损耗，特别适合高频开关电源设计。同时，其反向恢复时间较短（约280纳秒），有助于减少体二极管在续流过程中的损耗，进一步提升系统效率。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，最大功耗可达265瓦，并支持工作结温高达175摄氏度，确保在高温环境下仍能安全运行。
　　IRFP250N还内置了较强的抗雪崩能力，能够在发生电感负载突变或短路等异常工况下吸收一定的能量而不损坏，增强了系统的鲁棒性。其栅极阈值电压范围为2至4伏，兼容标准逻辑电平驱动信号，便于与PWM控制器或其他驱动IC直接接口。TO-247封装不仅提供了优良的散热路径，也方便安装于散热器上，适用于高功率密度设计。综上所述，这些综合特性使IRFP250N成为众多高功率电子系统中的理想选择。

IRFP250N广泛应用于多种高功率电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），尤其是在大功率AC-DC和DC-DC转换器中，利用其低导通电阻和高效率特性来实现稳定的电压输出。在逆变器系统中，例如太阳能逆变器或UPS不间断电源，IRFP250N常用于H桥拓扑结构中作为主开关器件，负责将直流电转换为交流电输出，其高电流承载能力和快速开关特性有助于提升逆变效率和动态响应。此外，在电机驱动领域，无论是直流电机还是步进电机控制，该MOSFET都能胜任高电流斩波和调速任务，适用于工业自动化设备和电动工具等场景。
　　在音频功率放大器特别是高保真音响系统中，IRFP250N因其线性度好、失真低而被广泛采用，常用于AB类或D类放大器的输出级，提供强劲的电流驱动能力以推动低阻抗扬声器。它也被用于感应加热设备、电磁炉和电子负载等需要大功率切换的应用中。由于其具备良好的热性能和可靠性，IRFP250N同样适用于汽车电子系统中的辅助电源模块或LED驱动电路。此外，在实验用直流电源、焊接设备以及电池充电管理系统中也能见到其身影。总之，凡涉及高电压、大电流、高频率开关操作的电力电子装置，IRFP250N均是一个成熟且值得信赖的选择。

STP250N20F7
　　SPW25N20C3
　　FQP25N20L