型号：IRFP250M
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道
　　漏源电压(Vdss)：200V
　　连续漏极电流(Id)：30A @ 100°C
　　脉冲漏极电流(Idm)：120A
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　导通电阻(Rds(on))：0.075Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压(Vgs(th))：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容(Ciss)：4080pF @ Vds=25V
　　输出电容(Coss)：590pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间(trr)：65ns
　　功耗(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-247AC

IRFP250M采用了英飞凌先进的沟槽式场效应晶体管技术，这种结构显著降低了器件的导通电阻Rds(on)，从而减少了在大电流条件下的功率损耗，提高了系统的整体能效。其典型的Rds(on)值仅为75毫欧姆，在200V耐压等级的MOSFET中属于较低水平，这意味着在相同的工作电流下，发热量更小，有助于延长器件寿命并降低散热设计复杂度。该器件具备优异的开关特性，输入电容和输出电容较小，使得其在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关过程中的能量损耗，特别适用于工作频率较高的DC-DC转换器和全桥/半桥拓扑结构。
　　此外，IRFP250M具有出色的热稳定性和长期可靠性。其最大结温可达175°C，允许在高温工业环境中安全运行。TO-247封装提供了优良的热传导路径，配合散热器使用可进一步提升功率处理能力。器件还具备较强的抗雪崩能力，能够在遭遇电压尖峰或感性负载突变时承受一定的能量冲击而不损坏，提升了系统在异常工况下的鲁棒性。其体二极管也经过优化设计，反向恢复时间较短（典型值65ns），可减少反向恢复引起的电压振荡和电磁干扰，避免对其他电路元件造成影响。
　　IRFP250M对栅极驱动要求较为宽松，可在+10V至+20V范围内正常开启，且阈值电压适中（2.0V~4.0V），便于与常见的驱动IC接口匹配。同时，±20V的栅源电压耐受能力增强了其在噪声环境中的安全性，防止因栅极过压而导致击穿。该器件还具备良好的dv/dt和di/dt耐受能力，能够在快速开关过程中保持稳定，减少误触发风险。综上所述，IRFP250M凭借其低导通损耗、高开关速度、强健的结构设计和广泛的适用性，成为众多中高功率电源系统中不可或缺的核心功率开关元件。

IRFP250M被广泛用于各类高功率密度和高效率要求的电力电子设备中。在开关模式电源（SMPS）领域，它常用于有源功率因数校正（PFC）电路和主开关拓扑中，如升压、降压、半桥和全桥变换器，支持从数百瓦到数千瓦级别的功率转换。在太阳能逆变器系统中，IRFP250M可用于DC-AC转换级，将光伏阵列产生的直流电高效地转化为交流电并入电网，其高耐压和低损耗特性有助于提高整体光电转换效率。
　　在电机驱动应用中，该器件适用于直流无刷电机（BLDC）、伺服驱动器和通用变频器等控制系统，作为H桥或三相逆变桥的开关元件，实现精确的速度和转矩控制。其快速开关能力和高电流承载能力确保了电机运行平稳且响应迅速。此外，在不间断电源（UPS）系统中，IRFP250M用于逆变器和旁路切换模块，保障关键负载在市电中断时持续供电。
　　该器件也常见于焊接设备、感应加热装置和高频电源等工业设备中，承担大电流斩波和能量传输任务。在电动汽车充电基础设施中，部分车载充电机（OBC）和直流快充模块也会采用类似规格的MOSFET进行功率调节。此外，IRFP250M还可用于音频放大器的开关电源部分、LED大功率驱动电源以及电信电源系统中。得益于其高可靠性和宽温度工作范围，该器件同样适用于恶劣环境下的户外设备和工业自动化系统。总之，凡是需要高效、高电压、大电流开关功能的场合，IRFP250M都是一个成熟且值得信赖的选择。

IRFP250NPBF
　　STP250N20F7
　　SPW25N20C3
　　FQP20N20M