类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（ID）：3.7 A
　　漏源电压（VDS）：20 V
　　导通电阻（RDS(on)）：22 mΩ @ VGS = 4.5 V
　　栅极电压（VGS）：±8 V
　　功耗（PD）：1.4 W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装：TSOP

IRFNL210BTRA MOSFET 具备多个关键特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下的最小功率损耗，从而提高了整体效率。该器件在 VGS = 4.5 V 时的 RDS(on) 仅为 22 mΩ，适用于低电压驱动电路，例如由电池供电的系统中的微控制器或电源管理 IC。
　　其次，IRFNL210BTRA 支持高达 20 V 的漏源电压（VDS），能够在中低功率应用中提供良好的电压耐受能力。其漏极电流额定值为 3.7 A，适合用于小型 DC-DC 转换器、负载开关和马达驱动器等场景。
　　该 MOSFET 的栅极电压范围为 ±8 V，确保了在各种驱动条件下不会发生栅极击穿。其最大功耗为 1.4 W，在小型封装中具备良好的热管理能力。此外，IRFNL210BTRA 采用无铅封装技术，符合 RoHS 标准，适用于环保和高可靠性要求的应用。
　　在温度性能方面，IRFNL210BTRA 可在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内稳定工作，适用于工业级和汽车电子系统。其封装形式为 TSOP，体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用。

IRFNL210BTRA MOSFET 主要用于电源管理和功率控制领域。其典型应用包括便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中的 DC-DC 转换器和负载开关。此外，它还可用于小型马达控制、LED 驱动器、电池充电管理系统以及低功耗电源适配器。
　　在工业自动化和控制系统中，IRFNL210BTRA 可作为低侧开关，用于控制传感器、继电器和执行器等设备。在汽车电子领域，该器件适用于车载充电器、车身控制模块和辅助电源系统。由于其低导通电阻和高效率特性，IRFNL210BTRA 在需要节能和热管理优化的系统中表现出色。

Si2302DS, AO3400A, FDS6675, IRF7301