IRFM120A是一款由Infineon(英飞凌)生产的N沟道功率MOSFET,采用TO-263封装。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景中,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力。
这款MOSFET的主要特点是其优异的效率表现和耐用性,能够适应各种严苛的工作环境,适用于高效率、高可靠性需求的应用场合。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:48A
导通电阻:2.5mΩ
栅极电荷:95nC
总功耗:217W
工作结温范围:-55℃至+175℃
IRFM120A具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(2.5mΩ),可有效减少导通损耗,提高整体效率。
2. 高额定电流(48A),能够承受较大的负载电流。
3. 较小的栅极电荷(95nC),有助于降低开关损耗。
4. 宽广的工作温度范围(-55℃至+175℃),确保在极端环境下的稳定运行。
5. TO-263封装形式,提供良好的散热性能和易于安装的特点。
这些特性使得IRFM120A成为需要高性能功率管理应用的理想选择。
IRFM120A主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. 电机驱动控制
3. 工业自动化设备中的负载切换
4. 逆变器及不间断电源(UPS)系统
5. 大功率LED驱动器
其强大的电气性能和可靠性使其非常适合于高功率密度设计。
IRFZ44N, IRF540N