IRFL4315TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)制造的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用TO-263-3 (D2PAK) 封装,具有低导通电阻和高电流处理能力的特点。它适用于各种电源开关、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等应用场合。
由于其出色的电气特性和紧凑的设计,IRFL4315TRPBF被广泛用于工业、汽车和消费类电子领域。
型号:IRFL4315TRPBF
封装:TO-263-3 (D2PAK)
VDS(漏源极电压):30V
RDS(on)(导通电阻,典型值):3.5mΩ @ VGS = 10V
ID(连续漏极电流):118A
Ptot(总功耗):175W
VGS(栅源极电压):±20V
f(工作频率):最高支持几百kHz
结温范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:表面贴装
IRFL4315TRPBF 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(RDS(on)),能够显著降低功率损耗,提升效率。
2. 高电流承载能力,使其适用于大功率应用。
3. 快速开关性能,适合高频开关应用,例如DC-DC转换器和开关电源。
4. 耐热增强型封装设计,有助于改善散热性能。
5. 宽广的工作温度范围,能够在极端环境下稳定运行。
6. 高雪崩击穿能量,增强了器件的可靠性与鲁棒性。
这些特点使得IRFL4315TRPBF成为高效能电力电子设备的理想选择。
该MOSFET的主要应用领域包括:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的开关元件。
4. 各种负载切换场景,如电池供电设备中的负载控制。
5. 汽车电子系统,如电动助力转向系统(EPS)、发动机控制单元(ECU)等。
6. 工业自动化设备中的功率管理模块。
凭借其卓越的性能,IRFL4315TRPBF在需要高效功率转换和低损耗的场合中表现尤为突出。
IRL3803,
STP116N3LL,
AO3400,
FDP150AN,
IXFN120N3T