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IRFL4315TRPBF 发布时间 时间:2025/6/30 21:08:53 查看 阅读:2

IRFL4315TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)制造的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用TO-263-3 (D2PAK) 封装,具有低导通电阻和高电流处理能力的特点。它适用于各种电源开关、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等应用场合。
  由于其出色的电气特性和紧凑的设计,IRFL4315TRPBF被广泛用于工业、汽车和消费类电子领域。

参数

型号:IRFL4315TRPBF
  封装:TO-263-3 (D2PAK)
  VDS(漏源极电压):30V
  RDS(on)(导通电阻,典型值):3.5mΩ @ VGS = 10V
  ID(连续漏极电流):118A
  Ptot(总功耗):175W
  VGS(栅源极电压):±20V
  f(工作频率):最高支持几百kHz
  结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:表面贴装

特性

IRFL4315TRPBF 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(RDS(on)),能够显著降低功率损耗,提升效率。
  2. 高电流承载能力,使其适用于大功率应用。
  3. 快速开关性能,适合高频开关应用,例如DC-DC转换器和开关电源。
  4. 耐热增强型封装设计,有助于改善散热性能。
  5. 宽广的工作温度范围,能够在极端环境下稳定运行。
  6. 高雪崩击穿能量,增强了器件的可靠性与鲁棒性。
  这些特点使得IRFL4315TRPBF成为高效能电力电子设备的理想选择。

应用

该MOSFET的主要应用领域包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 电机驱动电路中的开关元件。
  4. 各种负载切换场景,如电池供电设备中的负载控制。
  5. 汽车电子系统,如电动助力转向系统(EPS)、发动机控制单元(ECU)等。
  6. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  凭借其卓越的性能,IRFL4315TRPBF在需要高效功率转换和低损耗的场合中表现尤为突出。

替代型号

IRL3803,
  STP116N3LL,
  AO3400,
  FDP150AN,
  IXFN120N3T

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IRFL4315TRPBF参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C185 毫欧 @ 1.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs19nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds420pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFL4315TRPBF-NDIRFL4315TRPBFTR