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IRFL4310TR 发布时间 时间:2025/6/28 20:02:49 查看 阅读:4

IRFL4310TR是英飞凌(Infineon)公司生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-252 (DPAK)封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于各种高效能电源管理应用中。其出色的性能使其成为许多需要高频、低损耗开关操作的电路的理想选择。
  这款MOSFET广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。得益于其较低的导通电阻和优化的动态特性,IRFL4310TR能够在多种条件下提供高效的功率转换。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:8.6A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ @ Vgs=10V
  栅极电荷:17nC
  总电容(Ciss):940pF
  工作结温范围:-55℃ to 150℃
  封装形式:TO-252 (DPAK)

特性

IRFL4310TR具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关能力,适用于高频开关应用。
  3.确保在高温环境下也能稳定运行。
  4. 良好的静电防护能力,提高了器件的鲁棒性。
  5. 小型化封装设计,节省了PCB空间并便于散热管理。

应用

IRFL4310TR主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. DC-DC转换器中的高频开关器件。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 各种负载开关及保护电路。
  5. 电池管理系统中的充放电路径控制。

替代型号

IRLZ44N, AO3400A, FDN340P

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IRFL4310TR参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 1.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds330pF @ 25V
  • 功率 - 最大1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称IRFL4310DKR