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IRFL4105TRPBF 发布时间 时间:2025/5/7 18:21:31 查看 阅读:23

IRFL4105TRPBF是来自英飞凌(Infineon)的一款N沟道增强型MOSFET,采用TO-247封装。该器件具有极低的导通电阻和出色的开关性能,适用于高频开关应用及大电流负载场景。其设计旨在减少功率损耗并提高效率,广泛用于工业、汽车以及消费电子领域。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:88A
  导通电阻:0.8mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
  栅极电荷:39nC(典型值)
  输入电容:3340pF
  总功耗:256W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

IRFL4105TRPBF是一款高性能的MOSFET器件,具有超低导通电阻,能够显著降低导通损耗,从而提升系统的整体效率。其低栅极电荷和快速开关速度使它非常适合高频开关应用。此外,该器件具备优异的热稳定性,能够在极端温度条件下可靠运行。
  这款MOSFET还采用了坚固耐用的TO-247封装形式,这种封装提供了良好的散热性能,有助于进一步改善器件的工作效率和可靠性。
  由于其高电流承载能力和低损耗特点,IRFL4105TRPBF成为诸如DC-DC转换器、同步整流器、逆变器、电机驱动等应用的理想选择。

应用

IRFL4105TRPBF主要应用于需要高效功率管理的场合,包括但不限于以下领域:
  1. DC-DC转换器:在降压或升压电路中用作主开关管或同步整流管。
  2. 电机驱动:为各种类型的电机提供高效的功率驱动。
  3. 逆变器:在光伏逆变器和其他电源逆变器中使用。
  4. 开关电源:实现高效率和高功率密度的开关电源设计。
  5. 汽车电子:支持汽车中的各类电力系统,例如电动助力转向系统(EPS)、起停系统等。
  凭借其卓越的性能,该器件可满足对功率效率和热管理有严格要求的应用需求。

替代型号

IRFB4110GPA, IRFH5301TRPBF, FDP5510

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IRFL4105TRPBF参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C45 毫欧 @ 3.7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs35nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds660pF @ 25V
  • 功率 - 最大1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFL4105TRPBF-NDIRFL4105TRPBFTR