IRFL4105TRPBF是来自英飞凌(Infineon)的一款N沟道增强型MOSFET,采用TO-247封装。该器件具有极低的导通电阻和出色的开关性能,适用于高频开关应用及大电流负载场景。其设计旨在减少功率损耗并提高效率,广泛用于工业、汽车以及消费电子领域。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:88A
导通电阻:0.8mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
栅极电荷:39nC(典型值)
输入电容:3340pF
总功耗:256W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
IRFL4105TRPBF是一款高性能的MOSFET器件,具有超低导通电阻,能够显著降低导通损耗,从而提升系统的整体效率。其低栅极电荷和快速开关速度使它非常适合高频开关应用。此外,该器件具备优异的热稳定性,能够在极端温度条件下可靠运行。
这款MOSFET还采用了坚固耐用的TO-247封装形式,这种封装提供了良好的散热性能,有助于进一步改善器件的工作效率和可靠性。
由于其高电流承载能力和低损耗特点,IRFL4105TRPBF成为诸如DC-DC转换器、同步整流器、逆变器、电机驱动等应用的理想选择。
IRFL4105TRPBF主要应用于需要高效功率管理的场合,包括但不限于以下领域:
1. DC-DC转换器:在降压或升压电路中用作主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动:为各种类型的电机提供高效的功率驱动。
3. 逆变器:在光伏逆变器和其他电源逆变器中使用。
4. 开关电源:实现高效率和高功率密度的开关电源设计。
5. 汽车电子:支持汽车中的各类电力系统,例如电动助力转向系统(EPS)、起停系统等。
凭借其卓越的性能,该器件可满足对功率效率和热管理有严格要求的应用需求。
IRFB4110GPA, IRFH5301TRPBF, FDP5510