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IRFL110TRPBF 发布时间 时间:2025/5/23 19:36:02 查看 阅读:5

IRFL110TRPBF 是一款由 Vishay 推出的 N 沣道增强型功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装形式,广泛应用于开关电源、DC/DC 转换器、电机驱动和负载开关等领域。其低导通电阻特性使其非常适合需要高效率和低功耗的应用场景。
  IRFL110TRPBF 的设计旨在提供卓越的电气性能和可靠性,同时其封装形式也便于表面贴装工艺,简化了生产流程。

参数

最大漏源电压:55V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:4.3A
  导通电阻:6.5mΩ
  总栅极电荷:8nC
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

IRFL110TRPBF 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为 6.5mΩ,从而显著降低导通损耗。
  2. 快速开关能力,得益于其较低的总栅极电荷(Qg=8nC),能够实现高效的高频开关操作。
  3. 高耐压能力,支持高达 55V 的漏源电压,适用于多种电源管理应用。
  4. 表面贴装封装(TO-252/DPAK),具备优良的热性能和机械稳定性。
  5. 工作温度范围宽广,能够在 -55℃ 至 +150℃ 的环境中稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代电子设备的要求。

应用

IRFL110TRPBF 可用于以下应用领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC/DC 转换器的核心开关元件。
  3. 电机驱动电路,控制直流无刷电机或其他小型电机。
  4. 各类负载开关和保护电路。
  5. 电池管理系统(BMS)中的功率路径管理。
  6. 汽车电子系统中的功率转换和控制模块。

替代型号

IRFZ44N, FDP5500, AO3400

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IRFL110TRPBF参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压100 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流1.5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)540 mOhms
  • 配置Single Dual Drain
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOT-223
  • 封装Reel
  • 下降时间9.4 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散2000 mW
  • 上升时间16 ns
  • 工厂包装数量2500
  • 典型关闭延迟时间15 ns