型号：IRFK4HC50
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：50 V
　　漏极电流（Id）@25°C：310 A
　　漏极电流（Id）@100°C：190 A
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻Rds(on) @10V Vgs：1.6 mΩ
　　导通电阻Rds(on) @4.5V Vgs：2.1 mΩ
　　栅极电荷（Qg）@10V Vgs：270 nC
　　输入电容（Ciss）：10800 pF
　　输出电容（Coss）：1400 pF
　　反向恢复时间（trr）：55 ns
　　功耗（Pd）：625 W
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247

IRFK4HC50采用英飞凌先进的TrenchStop? 4技术，显著降低了导通损耗与开关损耗之间的权衡，从而提升了整体能效。该技术通过优化沟道设计和载流子分布，实现了极低的导通电阻Rds(on)，即使在大电流条件下也能有效减少功率损耗。器件的栅极电荷（Qg）较低，意味着驱动电路所需的能量更少，有助于简化驱动设计并提升系统效率。同时，其输入电容和输出电容经过优化，在高频开关应用中可减少动态损耗，支持更高频率的PWM控制，有利于减小磁性元件体积，提升功率密度。
　　该MOSFET具备出色的热稳定性，其最大功耗可达625W，配合TO-247封装良好的热传导性能，可在高温环境下长时间稳定运行。器件的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，适用于工业级和严苛环境下的应用。此外，IRFK4HC50具有较强的抗雪崩能力，能够承受一定的电压冲击，提高了系统在短路或浪涌条件下的可靠性。其栅源电压额定值为±20V，提供了良好的过压保护裕量，防止因驱动异常导致器件损坏。
　　在可靠性方面，该器件通过了严格的质量认证，符合AEC-Q101标准，适用于对长期稳定性要求较高的工业和通信电源系统。其低反向恢复电荷（Qrr）和较短的反向恢复时间（trr）使得体二极管在续流过程中表现优异，减少了与之配对的开关管的应力，尤其适用于同步整流拓扑。此外，器件的封装设计便于安装散热器，进一步提升热管理能力。总体而言，IRFK4HC50在性能、效率和可靠性之间达到了良好平衡，是高端电源设计中的理想选择之一。

IRFK4HC50广泛应用于各类高功率、高效率的电源转换系统中。典型应用包括服务器和数据中心的高效DC-DC降压变换器，其中多个MOSFET并联使用以满足数百安培的负载需求。在电信电源系统中，该器件用于48V转12V的中间总线转换器（IBC），提供稳定的电压输出并保持高转换效率。此外，它也常见于工业电源、不间断电源（UPS）和焊接设备中的功率级开关电路。
　　在可再生能源领域，IRFK4HC50被用于太阳能微逆变器和储能系统的DC-AC逆变桥臂，其快速开关能力和低损耗特性有助于提升能量回馈效率。在电机驱动应用中，该MOSFET可用于大功率直流电机或步进电机的H桥驱动电路，提供精确的电流控制和快速响应。由于其优异的热性能，该器件也可用于车载充电机（OBC）和电动汽车辅助电源系统中，适应高温运行环境。
　　此外，IRFK4HC50适用于各种同步整流拓扑，如LLC谐振转换器和移相全桥电路，其低栅极电荷和快速体二极管恢复特性可显著降低开关节点的电压振铃和电磁干扰（EMI）。在模块化电源设计中，该器件常作为主开关或同步整流开关使用，支持多相并联架构以实现更高的输出电流能力。其高可靠性和长寿命特性也使其成为工业自动化和重型设备电源模块的优选器件。

IRFP4468PbF
　　IRL7833PbF
　　IXFH310N15T