IRFK4H450G 时间：2025/12/26 21:06:31 阅读：13

IRFK4H450G是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的高压、高速MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于该公司先进的功率MOSFET产品线。该器件专为高效率开关应用设计，尤其适用于需要处理高电压和大电流的场合。其结构基于英飞on领先的Superjunction（超级结）技术，这种技术通过优化P型和N型柱状区域的交替排列，显著降低了导通电阻（RDS(on)），同时保持了出色的击穿电压能力。因此，IRFK4H450G能够在650V的漏源电压下稳定工作，适用于工业电源、太阳能逆变器、服务器电源单元（PSU）、电信整流器以及电动汽车充电系统等高端电力电子设备中。
　　该MOSFET采用TO-247封装，具有良好的热性能和机械稳定性，便于安装在散热器上以实现高效散热。此外，TO-247封装支持低电感连接，有助于减少开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），从而提高系统可靠性。IRFK4H450G还具备快速恢复体二极管，可在某些拓扑结构中（如桥式电路或同步整流）提供额外的优势，避免外部并联快速恢复二极管的需要。
　　由于其优异的开关特性和热管理能力，IRFK4H450G特别适合用于硬开关和软开关拓扑，例如LLC谐振转换器、有源钳位反激（ACF）和图腾柱PFC（功率因数校正）电路。这些应用对器件的动态性能要求极高，而IRFK4H450G凭借其低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss），能够有效降低驱动损耗和开关损耗，提升整体系统效率。

参数

型号：IRFK4H450G
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：Power MOSFET
　　技术类型：Superjunction
　　拓扑结构：N-Channel
　　最大漏源电压（VDS）：650 V
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：12 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：48 A
　　最大栅源电压（VGS）：±30 V
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 10V）：450 mΩ
　　栅极电荷（Qg typ）：47 nC
　　输入电容（Ciss typ）：1100 pF
　　输出电容（Coss typ）：260 pF
　　反向恢复时间（trr typ）：45 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 至 +150 °C
　　封装类型：TO-247

特性

IRFK4H450G采用了英飞凌先进的Superjunction（超级结）MOSFET技术，这项技术突破了传统平面型或沟槽型MOSFET在高电压下难以兼顾低导通电阻与高击穿电压的限制。通过精确控制P型与N型掺杂区域的垂直分布，形成交替的“柱状”结构，使得器件在承受高电压时电场分布更加均匀，从而大幅提升了单位面积下的耐压能力。与此同时，这种结构显著降低了单位面积的导通电阻RDS(on)，使IRFK4H450G在650V等级下仍能保持仅450mΩ的最大导通电阻，这在同类产品中属于较高性能水平。较低的RDS(on)意味着更小的导通损耗，进而减少发热，提升电源系统的整体能效。
　　该器件具有出色的动态开关特性，其典型栅极电荷（Qg）仅为47nC，这一参数直接影响到驱动电路所需的能量和开关速度。低Qg使得控制器可以用较小的驱动电流实现快速开启和关断，不仅降低了驱动IC的功耗，也减少了开关过渡期间的能量损耗，特别适用于高频开关应用。此外，输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）分别约为1100pF和260pF，在高压MOSFET中处于较低水平，有助于减小开关过程中的dv/dt和di/dt效应，降低电磁干扰（EMI）风险，并提升系统稳定性。
　　IRFK4H450G内置的体二极管具有快速反向恢复能力，典型反向恢复时间（trr）为45ns。这对于某些需要体二极管参与换流的应用（如半桥或全桥拓扑中的死区导通）至关重要。快速恢复特性可有效防止反向恢复电流过大导致的额外损耗和电压振荡，从而避免可能引发的器件失效问题。结合其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C），该器件可在极端环境条件下可靠运行，满足工业级甚至部分严苛应用场景的需求。TO-247封装提供了优良的热传导路径，配合适当的散热设计，可确保长时间高负载下的稳定工作。

应用

IRFK4H450G广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在对效率、功率密度和可靠性要求较高的领域。典型应用包括通信电源中的AC-DC整流模块，其中它常被用于有源功率因数校正（PFC）级，特别是连续导通模式（CCM）PFC或图腾柱无桥PFC拓扑中，利用其低RDS(on)和良好开关特性来提升能效并降低热量产生。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于DC-DC升压 stage 或 DC-AC逆变桥臂，承担能量转换的核心任务。得益于其650V额定电压，能够很好地匹配光伏阵列输出电压范围，并适应电网波动带来的瞬态过压情况。
　　在工业电源和服务器电源（Server PSU）中，IRFK4H450G常用于主开关管位置，特别是在LLC谐振转换器或移相全桥（Phase-Shift Full-Bridge）拓扑中，其低输出电容和快速开关响应有助于实现零电压切换（ZVS），从而极大降低开关损耗，提高转换效率至94%以上。此外，该器件也可用于电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩的辅助电源或隔离式DC-DC转换器中，支持宽输入电压范围和高可靠性运行要求。其他潜在应用还包括UPS不间断电源、焊接设备电源、感应加热控制系统以及高端LED驱动电源等。总之，任何需要在650V电压等级下实现高效、高频、高可靠性的电力转换场景，都是IRFK4H450G的理想用武之地。