型号：IRFK4H450+
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：CoolMOS? CFD7
　　技术类型：超级结 MOSFET
　　封装类型：TO-247-3
　　极性：N 沟道
　　漏源电压（VDS）：1000 V
　　连续漏极电流（ID）：4.1 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：16.4 A
　　导通电阻（RDS(on)）：800 mΩ @ VGS = 10 V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：3.0 V ~ 4.5 V
　　栅极电荷（Qg）：49 nC @ VGS = 10 V
　　输入电容（Ciss）：1150 pF @ VDS = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：快恢复体二极管
　　最大工作结温（Tj）：150 °C
　　功耗（PD）：125 W
　　安装类型：通孔

IRFK4H450+ 采用了英飞凌领先的 CoolMOS? CFD7 技术，基于超级结结构，实现了在 1000V 高压应用中卓越的性能表现。其核心优势在于极低的单位面积导通电阻，使得在相同电压等级下，RDS(on) 显著低于传统 MOSFET，从而大幅降低导通损耗，提高系统整体效率。此外，该器件优化了栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），有效减少了开关过程中的能量损耗，特别适用于高频开关电源设计。器件的体二极管具备快速反向恢复特性，能够减少关断时的电流尖峰和电磁干扰，提升系统的可靠性和稳定性。
　　该 MOSFET 具备优异的热性能和长期可靠性，得益于 TO-247 封装良好的散热能力，即使在高功率密度环境下也能维持较低的工作温度。其坚固的芯片设计支持高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压或负载突变情况下提供额外保护，避免器件损坏。此外，IRFK4H450+ 具有良好的 dv/dt 和 di/dt 抗扰度，可防止误触发和振荡现象，确保系统在复杂电磁环境中稳定运行。
　　在制造工艺方面，该器件符合 RoHS 标准，采用无铅焊接兼容材料，适用于现代绿色电子产品生产。其高度集成的设计减少了外围元件需求，有助于简化电路布局并提升功率密度。同时，英飞凌为其提供了完整的应用支持文档，包括 SPICE 模型、热仿真数据和参考设计，便于工程师快速完成系统开发与调试。总体而言，IRFK4H450+ 是一款面向高端工业和能源应用的高性能高压 MOSFET，兼顾效率、可靠性和易用性。

IRFK4H450+ 主要用于需要高电压、高效率和高可靠性的电力电子系统。典型应用场景包括工业级开关电源（SMPS），特别是在大功率 AC-DC 和 DC-DC 转换器中作为主开关器件使用。其 1000V 耐压能力使其非常适合用于光伏（太阳能）逆变器系统，在直流侧电压较高的条件下仍能保持高效转换。此外，该器件也广泛应用于不间断电源（UPS）系统中，用于 DC-AC 逆变级，以实现稳定的交流输出和高效的能量转换。
　　在电机驱动领域，尤其是高压三相逆变器或伺服驱动器中，IRFK4H450+ 可作为桥臂开关元件，提供快速响应和低损耗控制。其快速开关特性和良好热稳定性使其适用于长时间连续运行的工业自动化设备。另外，在高压 LED 驱动电源、电信整流器以及电动汽车充电基础设施中的辅助电源模块中，该器件也能发挥出色性能。
　　由于其具备较强的抗雪崩能力和稳定的高温工作特性，IRFK4H450+ 还可用于存在电压尖峰或负载突变风险的应用环境，如感应加热、电焊机电源和高能脉冲发生器等。总之，该器件凭借其高压、高效、高可靠的特点，成为多种高端电力转换系统的理想选择。

IPD90N10S5L-03