时间：2025/7/10 12:14:59
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IRFIZ48NPBF 是一款由英飞凌（Infineon）制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的技术，适用于多种高效率开关应用场合。其主要特点是低导通电阻和高电流处理能力，同时具备快速开关速度。这款MOSFET适合于DC-DC转换器、电机驱动、电源管理等应用领域。
该器件的工作电压范围较广，能够承受较高的漏源极电压，同时具有良好的热性能，能够在苛刻的环境下保持稳定运行。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：52A
导通电阻：1.6mΩ
栅极电荷：87nC
工作温度范围：-55℃ to 175℃
封装形式：TO-247-3
IRFIZ48NPBF具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低传导损耗，从而提高系统效率。
它还拥有快速的开关速度，可减少开关损耗，并允许在较高频率下工作。
此外，器件内部的热设计优化了散热性能，使其能够承受高负载条件下的长时间运行。
该芯片具备优秀的雪崩击穿能力，增强了其在异常情况下的可靠性。
通过采用坚固耐用的设计，IRFIZ48NPBF可以在极端环境温度下可靠工作，从而扩展了其应用范围。
IRFIZ48NPBF广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景，例如DC-DC转换器、电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及工业自动化设备中的电源管理系统。
在通信基础设施中，它可用于基站电源和电信级电源解决方案。
汽车电子领域中，它可以用于电动车辆的车载充电器、DC-DC转换模块和牵引逆变器。
消费类电子产品如笔记本电脑适配器和游戏机电源也常用到此类高性能MOSFET。
IRFPS48N10PBF, IRFP240N10S, IRFIZ54NPBF
